[發明專利]單色LED芯片及其制作方法

無效

• 申請號: 201010503174.1
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102130284A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 張汝京;肖德元
• 申請（專利權）人: 映瑞光電科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種單色LED芯片，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底的材質為透明材質；

集成微透鏡，位于所述襯底的一側的表面上，所述集成微透鏡的材質與所述襯底的材質相同；

緩沖層，位于所述襯底另一側的表面上；

有源層，位于所述緩沖層遠離所述襯底的表面上；

帽層，位于所述有源層遠離所述襯底的表面上；

正電極，所述正電極與所述帽層電連接；

負電極，所述負電極與所述緩沖層電連接。

2.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述正電極位于所述帽層遠離所述襯底的一側的表面上。

3.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述負電極位于所述緩沖層遠離所述襯底的一側的表面上。

4.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，還包括：抗反射層，位于所述帽層遠離襯底的一側的表面上。

5.如權利要求4所述的單色LED芯片，其特征在于，所述抗反射層的材質為金屬。

6.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，還包括：基座、位于基座上的正電極焊墊和負電極焊墊，所述正電極通過導電膠與正電極焊墊電連接，所述負電極通過導電膠與負電極焊墊電連接。

7.如權利要求6所述的單色LED芯片，其特征在于，所述基座的材質為半導體材質，所述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導電鋁膠。

8.如權利要求1所述的單色LED芯片，其特征在于，所述襯底的材質為藍寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。

9.一種單色LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底的材質為透明材質；

在所述襯底的一側的表面依次形成緩沖層、有源層、帽層、負電極和正電極，所述正電極與所述帽層電連接，所述負電極與所述緩沖層電連接；

在所述襯底另一側的表面形成集成微透鏡。

10.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述正電極形成于所述帽層遠離襯底的表面上。

11.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述負電極形成于所述緩沖層遠離襯底的表面上。

12.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，還包括：在所述帽層遠離所述襯底的一側的表面形成抗反射層的步驟。

13.如權利要求12所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述抗反射層的材質為金屬。

14.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，還包括：

提供基座，所述基座上形成有正電極焊墊和負電極焊墊；

利用導電膠將所述正電極與所述正電極焊墊電連接；

利用導電膠將所述負電極與所述負電極焊墊電連接。

15.如權利要求14所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述基座的材質為半導體材質，所述正電極焊墊和負電極焊墊的材質為金屬，所述導電膠的材質為導電銀膠、導電鋁膠。

16.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述襯底的材質為藍寶石、砷化鎵、氮化鋁、氧化鋅、碳化硅或硅。

17.如權利要求9所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透鏡為對所述襯底另一側的表面進行刻蝕獲得。

18.如權利要求17所述的單色LED芯片的制作方法，其特征在于，所述集成微透鏡的制作方法包括：

在所述襯底另一側的表面光刻形成多個厚度為2～4微米、直徑為50～200微米的光刻膠圓臺；

在溫度為150～200攝氏度范圍內，對所述光刻膠圓臺烘烤，使得所述圓臺變為球冠狀光刻膠；

以所述球冠狀光刻膠為掩模，等離子刻蝕所述襯底另一側的表面，在刻蝕后的所述襯底另一側的表面形成集成微透鏡。