[發明專利]發光二極管芯片

無效

• 申請號: 201010503014.7
• 申請日: 2010-10-11
• 公開（公告）號: CN102446947A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 吳治平;張木榮;傅希全
• 申請（專利權）人: 北京吉樂電子集團有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種發光二極管芯片，其特征在于，包括：

第一層第一導電類型半導體，形成于襯底上；

第一發光層，形成于所述第一層第一導電類型半導體上；

形成于所述第一發光層上的第二層第一導電類型半導體和第二層第二導電類型半導體，所述第二層第一導電類型半導體和第二層第二導電類型半導體橫向連接；

第二發光層，形成于所述第二層第一導電類型半導體和第二層第二導電類型半導體上；

第三層第二導電類型半導體，形成于所述第二發光層上。

2.如權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于：所述第一導電類型為N型、所述第二導電類型為P型；或，所述第一導電類型為P型、所述第二導電類型為N型。

3.如權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于：所述第一發光層為紅光發光層、黃光發光層、綠光發光層或藍光發光層；所述第二發光層為紅光發光層、黃光發光層、綠光發光層或藍光發光層。

4.如權利要求3所述發光二極管芯片，其特征在于：所述第一發光層為發光波長為紅光、黃光、綠光、或藍光的量子阱；所述第二發光層為發光波長為紅光、黃光、綠光、或藍光的量子阱。

5.如權利要求4所述發光二極管芯片，其特征在于：所述量子阱為InGaN或AlInGaN量子阱。

6.如權利要求1所述發光二極管芯片，其特征在于：所述第一層第一導電類型半導體、第二層第一導電類型半導體為第一導電類型的GaN層，厚度為100nm～1000nm；所述第二層第二導電類型半導體、第三層第二導電類型半導體為第二導電類型的GaN層，厚度為100nm～1000nm。

7.如權利要求5所述發光二極管芯片，其特征在于：所述量子阱的周期數為1～20，每一周期中阱的厚度為1nm～5nm、壘的厚度為6nm～10nm。