[發明專利]腔系列有效
| 申請號: | 201010502726.7 | 申請日: | 2010-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102433539A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 飯尾逸史;一色雅仁 | 申請(專利權)人: | 住友重機械工業株式會社 |
| 主分類號: | C23C14/56 | 分類號: | C23C14/56;C23C16/54 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 系列 | ||
技術領域
本發明涉及一種成膜裝置等的具備多個腔的腔系列(chamber?line),尤其涉及一種為了清掃或維護等能夠開閉裝配在腔的蓋部的腔系列。
背景技術
在離子鍍裝置或蒸鍍裝置等成膜裝置(參照專利文獻1)中,具備由鄰接排列的多個腔構筑的腔系列。在這種腔系列中,基板通過作為真空腔的成膜室時,對該基板施以預定的成膜處理(參照專利文獻1)。為了去除成膜處理帶來的蒸鍍物質的附著或污垢,有必要定期清掃成膜室內,并且,也有必要適當地保養其他腔。為此,在腔的頂棚部分形成有保養用開口,通常,封閉該開口的頂蓋通過鉸鏈部連結在主體部分上。頂蓋為重達500Kg以上的重物,因此在各腔設有用于吊起頂蓋而開放腔,且保持已開放的腔的開關裝置。
專利文獻1:日本特開2006-299358號公報
然而,在從前的腔系列中,在多個腔中分別需要頂蓋的開關裝置,設備復雜且易大型化,并容易引起設備成本增大。
發明內容
本發明以解決以上課題為目的,其目的在于提供一種容易簡單地構筑用于開關蓋部的設備并對降低成本也有效的腔系列。
本發明的特征在于,在鄰接排列多個具有蓋部的腔的腔系列中,具備:軌道部,沿著腔的排列方向配置;和開關機構,沿著軌道部移動自如,且使被設置在腔上的蓋部升降而可以開關腔。
根據本發明,開關機構沿著軌道部移動自如,該軌道部沿著多個腔的排列方向配置。從而,使一個腔的蓋部升降而開關腔,甚至移動至其他腔使其他腔的蓋部升降而也可開關其他腔。其結果,能夠至少用1個開關機構使多個腔開關,無需分別在多個腔設置開關裝置而變得容易簡單地構筑設備且對降低成本也有效。
另外,優選蓋部能夠從腔脫離。通過與從腔脫離的蓋部一同移動開關機構,可在被除掉蓋部的腔的上方確保寬敞且安全的操作區域。
另外,優選在蓋部設有堆積并保持其他蓋部的保持部。通過開關機構從腔脫離的蓋部因為例如可臨時堆積放置在旁邊的蓋部上,所以開關機構不用始終保持著蓋部,且能夠同時開放多個蓋部。
另外,優選開關機構具有一端能夠結合在蓋部的滾子鏈、掛繞滾子鏈的鏈輪和旋轉驅動鏈輪的驅動部,且滾子鏈的另一端被結合在鏈輪。因滾子鏈的另一端被結合在鏈輪上,所以滾子鏈伴隨鏈輪的旋轉被可靠地卷起,其結果能夠進行蓋部的可靠上升。另外,根據上述結構,能夠在升降行程較短時應用,因此對設備的緊湊化有利。
發明效果:
根據本發明,其目的在于提供一種設備的簡單化容易且對降低成本也有效的腔系列。
附圖說明
圖1是本發明的實施方式所涉及的成膜裝置的側視圖。
圖2是本實施方式所涉及的頂板變換器的俯視圖。
圖3是沿圖2的III-III線的剖面圖。
圖4是沿圖2的IV-IV線的剖面圖。
圖5是擴大成膜裝置的一部分而表示的側視圖。
圖6是頂板的立體圖。
圖中:1-成膜裝置(腔系列),4A~4E-腔,9-頂板,9c-頂板支承支柱(保持部),11、12-軌道(軌道部),13-頂板變換器(開關機構),21b-驅動電動機(驅動部),25-升降鏈輪,27-滾子鏈,27a-上端部(一端),27b-下端部(另一端),D-排列方向。
具體實施方式
以下,參照附圖對本發明所涉及的電流導入構造的優選實施方式進行說明。在本實施方式中,以構成腔系列的成膜裝置1作為例子進行說明。
如圖1所示,成膜裝置1為根據各種蒸鍍法在基板上成膜的裝置,其采用俗稱一列式的搬送方式。成膜裝置1具備設置在臺架3上的多個腔4A~4E,在各腔4A~4E內設有沿著預定路徑搬送載體的驅動機構。載體是指包含托盤及基板的搬送體。
多個腔4A~4E的作用各不相同,從載體所通過的路徑的上游側依次設有裝載鎖腔4A、前段緩沖腔4B、成膜腔4C、后段緩沖腔4D和卸載腔4E。各腔4A~4E分別根據可以開關的真空閘閥5而劃分。
裝載鎖腔4A及前段緩沖腔4B接收基板依次減壓。另外,在裝載鎖腔4A及前段緩沖腔4B中,將正在搬送的基板加熱至預定溫度。加熱至預定溫度的基板被搬入到成膜腔4C。
成膜腔4C由相互連通的3個真空腔構成,成膜腔4C內保持成高溫氣氛。在中央的真空腔的底部設有基于各種蒸鍍法的蒸鍍裝置,且通過蒸鍍粒子進行基板的成膜。
成膜后的基板被排出至后段緩沖腔4D。在后段緩沖腔4D設置有水冷板,基板在后段緩沖腔4D內通過輻射慢慢冷卻。之后,基板在調壓之后經過卸載腔4E并搬出至成膜裝置1外。
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