[發明專利]一種POSS改性高阻隔三層共擠包裝薄膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201010502646.1
• 申請日: 2010-10-11
• 公開（公告）號: CN102019738A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 戴李宗;蔣斌杰;羅宇峰;羅偉昂;許一婷
• 申請（專利權）人: 廈門大學;廈門順峰包裝材料有限公司
• 主分類號: B32B27/08
• 分類號: B32B27/08;B32B27/18;C08L23/08;C08L23/06;C08K5/549;B65D65/40
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所 35200
• 代理人: 陳永秀;馬應森

1.一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于包括外、中、里三層，其中外層薄膜組份為10％～20％的低密度聚乙烯、74％～87％的線型低密度聚乙烯和3％～6％多面體低聚倍半硅氧烷改性劑，中層薄膜組份為85％～90％的乙烯-乙烯醇共聚物和10％～15％的增容樹脂，里層薄膜組份為10％～20％的低密度聚乙烯，79％～89％的線型低密度聚乙烯和1％的開口劑。

2.如權利要求1所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于所述多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的厚度為40～60μm。

3.如權利要求1或2所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于所述多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的外層薄膜的厚度、中層薄膜的厚度和里層薄膜的厚度相同。

4.如權利要求1所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于所述增容樹脂為PE-g-MAH。

5.如權利要求1所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于所述開口劑為油酸酰胺。

6.如權利要求1所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜，其特征在于所述多面體低聚倍半硅氧烷改性劑的結構式如下：

其中：R＝-i-C₄H₉，n＝1～6。

7.如權利要求1所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)多面體低聚倍半硅氧烷改性劑的制備：

氮氣保護下，在反應體系中依次加入(i-C₄H₉)₇Si₈O₉(OH)₃19.9％～21.1％，四氫呋喃64.4％～67.0％和Et₃N?7.6％～8.1％，再注入正烷基三氯硅烷CH₃(CH₂)_nCH₂SiCl₃4.7％～6.6％，n＝1～6，攪拌反應后，過濾，濾液旋轉蒸發，得到淡黃色固體粉末，然后在甲苯和乙腈的溶液中結晶，得到多面體低聚倍半硅氧烷改性劑；

2)含多面體低聚倍半硅氧烷改性劑的外層薄膜母粒的制備：

按外層薄膜組份配比將低密度聚乙烯10％～20％、線型低密度聚乙烯74％～87％、多面體低聚倍半硅氧烷改性劑3％～6％放入攪拌機中混合，然后造粒，烘干；

3)多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的制備：

按中層薄膜組份和里層薄膜組份配比，分別將中層薄膜原料85％～90％的乙烯-乙烯醇共聚物和10％～15％的增容樹脂，里層薄膜原料10％～20％的低密度聚乙烯，79％～89％的線型低密度聚乙烯和1％的開口劑在攪拌機中混合，然后在三層共擠流延膜機生產線上，將外層母粒、中層和里層原料分別進行混合熔融塑化，通過劑量共擠出流延，得到多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜。

8.如權利要求7所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的制備方法，其特征在于在步驟1)中，所述攪拌反應的時間為12～20h；得到多面體低聚倍半硅氧烷改性劑后在50～70℃下真空干燥12h后備用。

9.如權利要求7所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的制備方法，其特征在于在步驟2)中，所述造粒，用雙螺桿擠出機熔融擠出造粒，所述雙螺桿擠出機的9區加熱溫度分別為170～180℃，180～200℃，200～220℃，210～220℃，210～220℃，200～210℃，190～210℃，190～200℃，180～190℃。

10.如權利要求7所述的一種多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的制備方法，其特征在于在步驟3)中，所述多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的厚度為40～60μm；所述多面體低聚倍半硅氧烷改性高阻隔三層共擠包裝薄膜的外層薄膜的厚度、中層薄膜的厚度和里層薄膜的厚度相同。