[發明專利]顯示器用玻璃基板及其制造方法無效
| 申請號: | 201010502434.3 | 申請日: | 2010-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102446673A | 公開(公告)日: | 2012-05-09 |
| 發明(設計)人: | 田中明 | 申請(專利權)人: | 旭硝子株式會社 |
| 主分類號: | H01J17/49 | 分類號: | H01J17/49;G02F1/1333;H01J17/04;H01J31/12;H01J29/10;H01J9/20;H01J11/34 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 高培培;車文 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 器用 玻璃 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及顯示器用玻璃基板及其制造方法。
背景技術
在等離子顯示面板(PDP)、液晶顯示裝置(LCD)、電致發光顯示器(ELD)、場發射顯示器(FED)等平板顯示器中,在玻璃基板上形成有透明電極、半導體元件等的結構被作為基板使用。例如,在LCD中,在玻璃基板上形成有透明電極、TFT(Thin?Film?Transistor:薄膜場效應晶體管)等的結構被作為基板使用。
透明電極、半導體元件等向玻璃基板上的形成在通過真空吸附而將玻璃基板固定于吸附臺上的狀態下進行。
但是,由于玻璃基板的表面平滑,所以玻璃基板強力地貼附在吸附臺上,玻璃基板難以從吸附臺剝離,若強行剝離,則會導致玻璃基板損壞。
另外,由于玻璃基板容易帶電,所以在將形成有透明電極、半導體元件等的玻璃基板從吸附臺剝離時,玻璃基板會帶電。在玻璃基板發生了剝離帶電的情況下,引發TFT等半導體元件的靜電破壞。
因此,對與吸附臺接觸的一側的玻璃基板的表面進行粗糙化處理,減小玻璃基板和吸附臺的接觸面積。如果減小了該接觸面積,則會易于從吸附臺剝離玻璃基板。另外,可以抑制剝離帶電的產生,減小剝離帶電量。作為粗糙化處理的方法,眾所周知的是,例如將包含液體及磨粒的研磨液向玻璃基板的一側的面噴吹并由刷子研磨玻璃基板的表面的方法(專利文獻1)。
但是,在利用現有的方法進行了粗糙化處理的玻璃基板中,不能充分抑制剝離帶電的發生,有時會引起半導體元件的靜電破壞。另外,玻璃基板會因剝離帶電而再度貼附于吸附臺等上,玻璃基板難以從吸附臺等剝離,若強行剝離,則會導致玻璃基板損壞。
專利文獻1:(日本)特開2001-343632號公報
發明內容
因此,本發明提供在從吸附臺剝離時不易產生剝離帶電的顯示器用玻璃基板及其制造方法。
本發明的顯示器用玻璃基板的特征在于,由下述方法求出的一側的面的平均表面粗糙度為0.8~2.0mm。
(平均表面粗糙度)
在顯示器用玻璃基板的一側的面上選擇任意兩點以上,對各點使用原子間力顯微鏡測定5μm×5μm的測定區域,由此求出JIS?B0601(2001年)所規定的算術平均高度Ra并求出Ra的平均值。
本發明顯示器用玻璃基板中,優選的是,平均表面粗糙度為0.8~2.0nm的面為已進行粗糙化處理的面。
本發明的顯示器用玻璃基板的制造方法的特征在于,將包含液體及磨粒的研磨液與壓縮空氣一起從噴嘴向玻璃基板一側的面噴吹而進行粗糙化處理。
優選所述壓縮空氣的壓力(表壓)為0.3~0.5MPa。
優選所述研磨液的流量為平均一個噴嘴5~10L/分鐘。
優選所述磨粒為氧化鈰。
優選所述磨粒的通過動態光散射法測定出的平均粒徑為0.5~3μm。
優選以80~400cm/分鐘的速度輸送玻璃基板的同時進行所述粗糙化處理。
本發明的顯示器用玻璃基板在從吸附臺剝離時不易產生剝離帶電。
根據本發明的顯示器用玻璃基板制造方法,能夠制造在從吸附臺剝離時不易產生剝離帶電的顯示器用玻璃基板。
附圖說明
圖1是表示玻璃基板的粗糙化處理裝置之一例的側面圖;
圖2是表示噴嘴之一例的側面圖;
圖3是表示玻璃基板的平均表面粗糙度和剝離帶電量之間的關系的曲線圖。
具體實施方式
本發明的顯示器用玻璃基板的一側的面的平均表面粗糙度為0.8~2.0nm,優選為1.0~1.5nm。如果平均表面粗糙度為0.8nm以上,則從吸附臺上剝離時不易產生剝離帶電。
平均表面粗糙度用下述方法計算。
在顯示器用玻璃基板的一側的面上選擇任意兩點以上,分別測定它們的算術平均高度Ra,以各值的平均值為平均表面粗糙度。
算術平均高度Ra為JIS?B0601(2001年)所規定的算術平均高度Ra,通過利用原子間力顯微鏡測定各點的5μm×5μm的測定區域而求出。
平均表面粗糙度為0.8~2.0nm的面優選為已進行粗糙化處理的面。已進行粗糙化處理的面為形成透明電極、半導體元件等時與吸附臺接觸的一側的面。另一方面,已進行粗糙化處理的面的相反側的面通常利用研磨處理等使其平滑化,成為形成透明電極、半導體元件等的面。
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