[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010502373.0
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102214578A
• 公開（公告）日: 2011-10-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金經(jīng)都
• 申請（專利權(quán)）人: 海力士半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;何勝勇

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體基板中形成限定有源區(qū)的器件隔離區(qū)；

蝕刻所述半導(dǎo)體基板以形成具有第一凹陷部和第二凹陷部的柵極區(qū)；

在所述柵極區(qū)上并在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部內(nèi)沉積導(dǎo)電材料，以在所述第一凹陷部中形成有效柵極并在所述第二凹陷部中形成虛設(shè)柵極；

蝕刻設(shè)置在所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料并避免蝕刻設(shè)置在所述第一凹陷部中的導(dǎo)電材料；

蝕刻設(shè)置在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料；以及

在所述半導(dǎo)體基板上并在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部內(nèi)的導(dǎo)電材料上沉積絕緣膜；

其中，所述第一凹陷部中的導(dǎo)電材料限定有效柵極并且所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料限定虛設(shè)柵極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述有源區(qū)具有線型圖案，并且

所述虛設(shè)柵極的高度低于所述有效柵極的高度，所述虛設(shè)柵極構(gòu)造為保持在關(guān)斷狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述導(dǎo)電材料包括多晶硅、鋁、鎢、氮化鎢、鈦、氮化鈦及其組合中的任意一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

蝕刻所述半導(dǎo)體基板以形成所述柵極區(qū)的步驟包括對所述半導(dǎo)體基板執(zhí)行各向異性蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

蝕刻設(shè)置在所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟以及蝕刻設(shè)置在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟為各向異性蝕刻步驟；并且

蝕刻設(shè)置于所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟是在蝕刻設(shè)置于所述第一凹陷部和所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟之前執(zhí)行的。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

對所述絕緣膜執(zhí)行化學(xué)機械拋光工序以使所述有源區(qū)露出，

其中，蝕刻設(shè)置在所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟是在蝕刻設(shè)置在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料的步驟之后執(zhí)行的。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述有效柵極和所述虛設(shè)柵極具有線型圖案。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，

所述虛設(shè)柵極的高度小于所述有效柵極的高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

將N型雜質(zhì)注入到所述有源區(qū)中以在所述有效柵極的側(cè)部形成N型結(jié)。

10.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括：

在半導(dǎo)體基板中形成限定有源區(qū)的器件隔離區(qū)；

蝕刻所述半導(dǎo)體基板以形成第一凹陷部和第二凹陷部；

在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部內(nèi)沉積導(dǎo)電材料；

執(zhí)行第一蝕刻步驟以蝕刻所述第一凹陷部和所述第二凹陷部內(nèi)的導(dǎo)電材料；

執(zhí)行第二蝕刻步驟以蝕刻所述第二凹陷部內(nèi)的導(dǎo)電材料而不蝕刻所述第一凹陷部內(nèi)的導(dǎo)電材料；以及

在所述半導(dǎo)體基板上并在所述第一凹陷部和所述第二凹陷部內(nèi)沉積絕緣膜，

其中，所述第一凹陷部中的導(dǎo)電材料限定有效柵極，所述第二凹陷部中的導(dǎo)電材料限定保持在關(guān)斷狀態(tài)的虛設(shè)柵極，并且

所述虛設(shè)柵極的高度設(shè)置為小于所述有效柵極的高度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述導(dǎo)電材料包括多晶硅、鋁、鎢、氮化鎢、鈦、氮化鈦及其組合中的任意一者。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述第一蝕刻步驟是在所述第二蝕刻步驟之前執(zhí)行的。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述第一蝕刻步驟和所述第二蝕刻步驟為各向異性蝕刻步驟。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述有效柵極和所述虛設(shè)柵極具有線型圖案。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，

所述第二蝕刻步驟是在所述第一蝕刻步驟之前執(zhí)行的。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括：

對所述絕緣膜執(zhí)行化學(xué)機械拋光工序以使所述有源區(qū)露出。