[發(fā)明專利]柵極結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010501915.2
• 申請(qǐng)日: 2010-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN102044423A
• 公開（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉明熙;黃益成;徐帆毅;歐陽暉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

1.一種柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

于一基板上依序沉積與圖案化一假氧化物層與一假柵極電極層；

使一含氮介電層與一層間介電層環(huán)繞該假氧化物層與該假柵極電極層；

移除該假柵極電極層；

于一第一溫度下，暴露該假氧化物層的一表面于含氨氣與含氟化合物的一氣態(tài)混合物中，以移除該假氧化物層；

加熱該基板至高于該第一溫度的一第二溫度，以于該含氮介電層內(nèi)形成一開口；

沉積一柵極介電物；以及

沉積一柵極電極。

2.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該第一溫度介于20-70℃，而該第二溫度介于90-200℃。

3.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該開口的寬度介于約15-45納米，而該開口的高度介于30-60納米。

4.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該開口的高度與寬度間具有約1.5-4的一比例。

5.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中沉積一柵極介電物的步驟包括于該開口內(nèi)形成具有厚度少于2納米的一高介電常數(shù)介電層，而其中沉積一柵極電極的步驟包括于該開口內(nèi)形成具有一柵極長(zhǎng)度少于32納米的一柵極電極。

6.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該氣態(tài)混合物對(duì)于該假氧化物層與該含氮介電層的移除率的比例大于2，而該氣態(tài)混合物對(duì)于該假氧化物層與該基板的移除率的比例大于100。

7.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中含氟化合物為擇自由氰氟酸與三氟化氮所組成族群的一化合物。

8.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中該氣態(tài)混合物包括氨氣與三氟化氮。

9.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，其中移除該假氧化物層的步驟包括通入一載氣于該基板上。

10.如權(quán)利要求1所述的柵極結(jié)構(gòu)的制造方法，還包括形成一接觸蝕刻停止層于該含氮介電層與該層間介電層之間。