[發明專利]鰭式場效應晶體管及其形成方法

有效

• 申請號: 201010501836.1
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN102034871A
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 賴理學;郭紫微;葉致鍇;萬幸仁
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 姜燕;陳晨

技術領域

本發明主要涉及半導體裝置，特別涉及鰭式場效應晶體管(fin?field?effecttransistors；finFETs)及其形成方法。

背景技術

半導體集成電路(integrated?circuit；IC)工業已歷經快速成長。在集成電路的材料與設計等方面的技術上的進步，使得在每個集成電路的世代制造出比前一個世代還小、并更復雜的電路。例如，半導體工業熱烈地致力于存儲單元(memory?cell)的尺寸縮減。而其中已進行的一項策略是使用多重柵極晶體管，除此之外還有鰭式場效應晶體管。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種鰭式場效應晶體管，包含：一鰭式溝道本體，位于一基底的上方；一柵極，置于上述鰭式溝道本體的上方；以及至少一源/漏極區，鄰接于上述鰭式溝道本體，上述至少一源/漏極區實質上未包含任何鰭式結構。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述基底具有位于一第一隔離區與一第二隔離區之間的一部分，上述至少一源/漏極區具有一外延生長區，上述外延生長區置于上述基底的上述部分的上方。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述外延生長區外延生長區與上述基底的上述部分具有一界面，且上述界面的一中心區低于上述第一隔離區的一表面。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述界面的上述中心區與上述第一隔離區的上述表面的距離實質上等于上述鰭式溝道本體的高度。

在上述的鰭式場效應晶體管中，較好為：上述界面的上述中心區實質上平坦。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：(1)上述第一隔離區具有一角落，而上述第一隔離區的上述表面和上述第一隔離區與上述基底的上述部分之間的一界面在上述角落處交叉；(2)上述基底的上述部分具有一尖端，而上述基底的上述部分的一表面和上述第一隔離區與上述基底的上述部分之間的上述界面在上述尖端處交叉；以及(3)上述角落實質上鄰接于上述尖端。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述外延生長區是用來對上述鰭式溝道本體提供應力。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：還包含一硅化物結構，其置于上述外延生長區的上方。

本發明又提供一種鰭式場效應晶體管，包含：一鰭式溝道本體，位于一基底的上方，上述基底具有位于一第一隔離區與一第二隔離區之間的一部分；一柵極，置于上述鰭式溝道本體的上方；以及至少一源/漏極區，鄰接于上述鰭式溝道本體，上述至少一源/漏極區包含：一外延生長區，置于上述基底的上述部分的上方，其中上述外延生長區與上述基底部分具有一界面，且上述界面的一中心區低于上述第一隔離區的一表面；及一硅化物結構，置于上述外延生長區的上方。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述界面的上述中心區與上述第一隔離區的上述表面之間的距離等于上述鰭式溝道本體的高度。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述界面的上述中心區是實質上平坦的。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：(1)上述第一隔離區具有一角落，而上述第一隔離區的上述表面和上述第一隔離區的一側壁在上述角落處交叉；(2)上述基底的上述部分具有一尖端，而上述基底的上述部分的一表面和上述基底的上述部分的一側壁在上述尖端處交叉；以及(3)上述角落實質上鄰接于上述尖端。

在上述鰭式場效應晶體管中，較好為：上述外延生長區是得以對上述鰭式溝道本體提供應力。

本發明是又一種鰭式場效應晶體管的形成方法，包含：在一基底的上方形成一鰭式溝道本體；在上述鰭式溝道本體的上方形成一柵極；以及形成至少一源/漏極區，其鄰接于上述鰭式溝道本體，上述至少一源/漏極區實質上未包含任何鰭式結構。

在上述鰭式場效應晶體管的形成方法中，上述鰭式溝道本體的形成較好為包含：(1)在上述基底的上方形成一鰭狀物；以及(2)移除上述鰭狀物的至少一末端部分，以暴露出為一隔離結構所圍繞的上述基底的一部分的一表面，并形成上述鰭式溝道本體。

在上述鰭式場效應晶體管的形成方法中，較好為還包含移除上述基底的一部分，其中上述基底的上述部分的上述暴露的表面的一中心區低于上述隔離結構的一表面。

在上述鰭式場效應晶體管的形成方法中，較好為：上述基底的上述暴露的表面的上述中心區與上述隔離結構的上述表面之間的距離，實質上等于上述鰭式溝道本體的高度。

在上述鰭式場效應晶體管的形成方法，較好為還包含使上述基底的上述暴露的表面經過熱能并通入氫氣后，使得上述表面重流，而使上述基底的上述暴露的表面的上述中心區是實質上平坦的。