[發明專利]一種金屬介質納米結構發光二極管及其制備方法無效
| 申請號： | 201010501436.0 | 申請日： | 2010-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN102034913A | 公開（公告）日： | 2011-04-27 |
| 發明（設計）人： | 夏偉;張秋霞;徐現剛 | 申請（專利權）人： | 山東華光光電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/44 | 分類號： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 250101 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 介質 納米 結構 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金屬介質納米結構LED，其特征是：該金屬介質納米結構LED管芯的光出射層的厚度為10nm-100nm，在光出射層端面上覆有一層厚度為10nm-60nm的金屬薄膜或制作有金屬納米結構，金屬納米結構是粒徑在1nm-100nm的納米顆粒的任意排布。
2.根據權利要求1所述的金屬介質納米結構LED，其特征是：納米顆粒是任意形狀。
3.一種權利要求1所述金屬介質納米結構LED的制備方法，其特征是：包括以下步驟：
(1)按常規方法制備出LED管芯結構，其中LED管芯的光出射層的厚度為10nm-100nm；
(2)在LED管芯的光出射層端面上通過常規蒸鍍、淀積或濺射方法形成一層厚度為10nm-60nm的金屬薄膜或通過常規干法或濕法或其他方法制作金屬納米結構；金屬納米結構是粒徑在1nm-100nm的納米顆粒的任意排布；
(3)然后按常規方法甩膠、光刻電極圖形、除去電極圖形上的光刻膠；
(4)濕法腐蝕去除電極下方的金屬薄膜或金屬納米結構，腐蝕液配比為硝酸、冰乙酸和水的體積比為1∶3∶3，腐蝕干凈后用去離子水清洗；
(5)按常規方法帶膠蒸鍍電極金屬NiAu，厚度為2μm；
(6)剝離掉電極圖形外的電極金屬，在去膠液中清洗，得到電極；
(7)按常規方法合金形成歐姆接觸。
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