[發明專利]一種在金屬基體表面制備ZnO/PDDA復合膜的方法無效
| 申請號： | 201010500913.1 | 申請日： | 2010-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN101962793A | 公開（公告）日： | 2011-02-02 |
| 發明（設計）人： | 林志峰;張盾 | 申請（專利權）人： | 中國科學院海洋研究所 |
| 主分類號： | C25D15/00 | 分類號： | C25D15/00;C25D9/00;C25D13/06 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人： | 許宗富;周秀梅 |
| 地址： | 266071*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 金屬 基體 表面 制備 zno pdda 復合 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在金屬基體表面制備ZnO/PDDA復合膜的方法，其特征在于：
1)將金屬基體依次用丙酮、乙醇、去離子水超聲清洗表面，而后吹干，待用；
2)以含聚二聚二烯丙基二甲基氯化銨(PDDA)的Zn(NO3)2溶液為電解液中，通過采用陰極電沉積，在基體表面沉積ZnO/PDDA復合膜，即得到沉積ZnO/PDDA復合膜的金屬基體。
2.按權利要求1所述的在金屬基體表面制備ZnO/PDDA復合膜的方法，其特征在于：所述電解液為含Zn(NO3)2與PDDA的混合溶液，其中，Zn(NO3)2濃度為5mM～0.01M，PDDA濃度為0.5～3g?L-1。
3.按權利要求1所述的在金屬基體表面制備ZnO/PDDA復合膜的方法，其特征在于：所述陰極電沉積時電沉積電位為-0.8～-1.2V/(Ag/AgCl)，沉積時間為10min～30min，沉積溫度為40～55℃。
4.按權利要求1所述的在金屬基體表面制備ZnO/PDDA復合膜的方法，其特征在于：所述金屬基體為碳鋼基體；所述步驟1)清洗后基體用氮氣吹干。
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