[發(fā)明專利]一種薄膜太陽能透光組件的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010301255.3 | 申請日: | 2010-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN101794846A | 公開(公告)日: | 2010-08-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 麥耀華;李宏;林清耿;王輝 | 申請(專利權(quán))人: | 保定天威集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 唐山順誠專利事務所 13106 | 代理人: | 于文順 |
| 地址: | 071051 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能 透光 組件 制造 方法 | ||
所屬技術領域:
本發(fā)明涉及一種薄膜太陽能透光組件的制造方法,屬于光伏應用技術領域。
背景技術:
全球建筑物自身能耗約占世界總能耗的三分之一左右。聯(lián)合國能源機構(gòu)調(diào)查報告顯示, 綠色建筑是21世紀世界建筑的主流。其中光伏建筑一體化(BIPV)建筑是最先進、最有潛力 的高科技綠色節(jié)能建筑,也是目前世界上大規(guī)模利用光伏技術的重要方向,一些發(fā)達國家都 在作為重點項目積極推進。BIPV是指將太陽能光伏發(fā)電方陣安裝在建筑的維護結(jié)構(gòu)外表面來 提供電力。由于光伏方陣與建筑的結(jié)合不占用額外的地面空間,是光伏發(fā)電系統(tǒng)在城市中廣 泛應用的最佳安裝方式,因而倍受關注。根據(jù)光伏組件與建筑結(jié)合形式的不同,BIPV系統(tǒng)可 分為兩大類:一類是光伏組件與建筑的結(jié)合,將光伏組件依附于建筑物上,建筑物作為光伏 組件載體,起支承作用。另一類是光伏組件與建筑的集成,光伏組件以一種建筑材料的形式 出現(xiàn),光伏組件成為建筑不可分割的一部分,如光電瓦屋頂、光電幕墻和光電采光頂?shù)取⒕? 有發(fā)電、隔熱、遮陰及防紫外線等多種功能,顯然后者將大大減少建筑材料的消耗,更有利 于未來BIPV的發(fā)展。本發(fā)明主要適用于第二類BIPV。
可以與建筑集成的太陽電池組件種類包括單晶硅、多晶硅以及硅基系列薄膜電池、碲化 鎘系列薄膜電池、銅銦鎵錫系列薄膜電池等,其中后者幾類薄膜電池以其獨特的美觀性能( 透射光為自然光,可以實現(xiàn)均勻透光)、穩(wěn)定可靠的發(fā)電性能、經(jīng)濟低廉的成本和設計選型 的多樣性,能夠比較完美的實現(xiàn)光伏建筑一體化。要使薄膜電池組件代替當前建筑中普遍使 用的玻璃幕墻,組件必須具有透過一定自然光的能力,目前通常使用的工藝是采用激光劃刻 的方法,一般的工藝流程為:當電池的背電極沉積完后,利用波長為532nm的高能密度的激 光束,把組件中的背電極和吸收層刻蝕掉,露出前透明導電薄膜,這樣自然光就可以透過組 件。通過控制激光頭的運動,在電池上可以制作出具有規(guī)則的溝槽狀結(jié)構(gòu)的透光結(jié)構(gòu),組件 的透光率可以通過改變劃刻溝槽狀結(jié)構(gòu)的線寬和密度來調(diào)整,理論上,組件的透光率可以接 近100%,但是考慮到成本和產(chǎn)率,組件的透光率通常在1%-20%之間。
但是采用激光劃刻技術存在如下缺點:1)、需要精密的激光劃刻設備,這些設備價格 高昂;2)、激光劃刻設備結(jié)構(gòu)復雜,精確度高,帶來維護成本增加;3)、該技術產(chǎn)率低下 。以面積為1.1×1.3m2、透光率20%的電池組件為例,假若激光劃刻速度達到1.5m/s,光斑 直徑范圍為200μm,為了實現(xiàn)20%的透過率,需要劃刻1200次,一塊組件耗時20多分鐘,不 利于大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn);4)、當利用激光劃刻工藝,移除背電極層及薄膜光電轉(zhuǎn)化層時 ,需要較高的激光能量,引起高溫的產(chǎn)生,導致背電極燒灼后的殘留粉末進入劃刻溝槽,容 易引起Shunt效應,造成組件效率的下降和產(chǎn)率的下降。5)、以上五點原因?qū)е铝诉@種工藝 的成本高昂,一般來說透光組件的生產(chǎn)成本是普通組件生產(chǎn)成本的3倍。6)、為了減少室內(nèi) 照明能耗,建筑物必須保證適當?shù)牟晒猓贐IPV中使用透光率為30-40%的組件為宜,由于產(chǎn) 率和成本的限制,采用激光劃刻技術制備這種高透過率的電池組件比較困難。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明目的是提供一種薄膜太陽能透光組件的制造方法,降低成本、提高產(chǎn)率,解決背 景技術中存在的上述問題。
本發(fā)明的技術方案是:
一種薄膜太陽能透光組件的制造方法,包含如下工藝步驟:①在玻璃襯底上沉積透明導 電前電極層;②制作薄膜光電轉(zhuǎn)換層,包括硅基系列薄膜層、碲化鎘系列薄膜層、銅銦鎵錫 系列薄膜層等;③沉積背電極層;④采用絲網(wǎng)印刷技術在電池的背面印刷出條狀、網(wǎng)狀、孔 狀以及特殊圖案的絕緣介質(zhì)層;⑤通過固化工藝使絕緣介質(zhì)固化;⑥采用噴砂技術噴掉未被 絕緣介質(zhì)覆蓋的膜層;⑦清洗噴砂工藝后的電池組件;⑧通過層壓封裝技術制備出完整的透 光組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





