[發(fā)明專利]鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010300689.1
• 申請日: 2010-01-25
• 公開（公告）號: CN101748469A
• 公開（公告）日: 2010-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳曉宏;秦偉
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: C25D11/30
• 分類號: C25D11/30
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務(wù)所 23109
• 代理人: 韓末洙

1.MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法按以下步驟進行：一、鎂合金表面預(yù)處理：將鎂合金浸入濃度為80g/L～120g/L的氫氧化鈉水溶液中，在70℃～90℃的溫度下保持15min～20min，取出后先用清水沖洗，再用蒸餾水沖洗，烘干；二、配制電解液：按主成膜劑濃度為20g/L～100g/L、輔助成膜劑濃度為1g/L～10g/L、著色添加劑濃度為10g/L～50g/L、絡(luò)合劑濃度為20g/L～100g/L、pH調(diào)節(jié)劑濃度為1g/L～5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解液；三、將經(jīng)步驟一處理的鎂合金置于裝有經(jīng)步驟二配制的電解液的不銹鋼槽體中，以鎂合金做陽極、不銹鋼槽體為陰極，采用脈沖微弧氧化電源供電，在電流密度為2A/dm²～10A/dm²，頻率為50Hz～2000Hz，占空比為10%～45%、電解液溫度為10℃～30℃的條件下氧化5min～30min，然后用蒸餾水清洗鎂合金表面并干燥，即得到鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層；其中步驟二中所述的主成膜劑為磷酸鹽、硅酸鹽和鋁酸鹽中的一種或其中幾種的按任意比的組合，輔助成膜劑為氟化鈉、氟化銨、硼砂和氟鋁酸鈉中的一種或其中幾種的按任意比的組合，著色添加劑為含銅、鐵元素的無機鹽或有機鹽；絡(luò)合劑為乙二胺和乙二胺四乙酸中的一種或其中幾種的按任意比的組合；pH調(diào)節(jié)劑為氫氧化鉀；所述的鎂合金的型號為MB2鎂合金。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟一中鎂合金浸入濃度為85g/L～115g/L的氫氧化鈉水溶液中，在75℃～85℃的溫度下保持16min～19min。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟二中按主成膜劑濃度為30g/L～90g/L、輔助成膜劑濃度為2g/L～8g/L、著色添加劑濃度為15g/L～45g/L、絡(luò)合劑濃度為30g/L～90g/L、pH調(diào)節(jié)劑濃度為1.5g/L～4.5g/L稱取主成膜劑、輔助成膜劑、著色添加劑、絡(luò)合劑、pH調(diào)節(jié)劑和水，配制成電解液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟三中鎂合金在電流密度為5A/dm²，頻率為500Hz，占空比為35%、電解液溫度為20℃的條件下氧化10min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟三中鎂合金在電流密度為6A/dm²，頻率為700Hz，占空比為25%、電解液溫度為20℃的條件下氧化15min。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟二中按硅酸鈉的濃度為30g/L、氟鋁酸鈉的濃度為8g/L、硫酸銅的濃度為35g/L、乙二胺四乙酸的濃度為50g/L、氫氧化鉀濃度為2g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為4A/dm²，頻率為700Hz，占空比為45%、電解液溫度為20℃的條件下氧化10min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟二中按磷酸鈉的濃度為80g/L、氟化銨的濃度為10g/L、硫酸銅的濃度為40g/L、乙二胺四乙酸的濃度為35g/L、氫氧化鉀濃度為3g/L稱取磷酸鈉、氟化銨、硫酸銅、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為3A/dm²，頻率為2000Hz，占空比為15%、電解液溫度為25℃的條件下氧化25min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2?所述的MB2鎂合金表面高太陽吸收率高發(fā)射率熱控涂層的制備方法，其特征在于步驟二中按硅酸鈉的濃度為75g/L、氟鋁酸鈉的濃度為10g/L、硫酸鐵的濃度為30g/L、乙二胺四乙酸的濃度為60g/L、氫氧化鉀濃度為5g/L稱取硅酸鈉、氟鋁酸鈉、硫酸鐵、乙二胺四乙酸、氫氧化鉀和水，配制成電解液；步驟三中MB2鎂合金在電流密度為10A/dm²，頻率為50Hz，占空比為45%、電解液溫度為25℃的條件下氧化6min。