[發明專利]一種全光控制光開關

無效

• 申請號: 201010300549.4
• 申請日: 2010-01-21
• 公開（公告）號: CN101762938A
• 公開（公告）日: 2010-06-30
• 發明（設計）人: 王濤;肖昆輝;胡志強
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G02F1/35
• 分類號: G02F1/35
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 周發軍

1.一種全光控制光開關，包括位于底座平臺上的核心半導體光學元件、控制光光纖準直器、起偏器、信號光光纖準直器和檢偏器；其特征在于，所述的核心半導體光學元件為多量子點層光學元件，所述多量子點層光學元件包括襯底、襯底上外延生長的量子點層和壘層，所述量子點層和壘層相互連續排列，相鄰的單個量子點層和壘層的厚度之和為一個布拉格周期厚度；所述量子點層和壘層的總厚度滿足使得入射信號光經過所述多量子點層光學元件在通訊波段形成高反射率光譜帶。

2.如權利要求1的一種全光控制光開關，其特征在于，所述起偏器和所述控制光光纖準直器依次位于控制光路上，控制光路與多量子點層光學元件輸入面垂直；入射的信號光以一定夾角入射至核心半導體光學元件表面，所述檢偏器位于所述多量子點層光學元件對于信號光產生的反射光路上，且檢偏器偏振方向與起偏器偏振方向平行。

3.如權利要求1或2所述的一種全光控制光開關，其特征在于，所述量子點層為在磷化銦材料上生長砷化銦量子點，壘層由生長的磷化銦構成。

4.如權利要求1或2所述的一種全光控制光開關，其特征在于，所述量子點層為在砷化鎵上生長的砷化銦量子點，壘層由生長的砷化鎵構成。