[發明專利]一種集成電路金屬冗余填充物耦合電容的測試結構和方法

有效

• 申請號: 201010300344.6
• 申請日: 2010-01-15
• 公開（公告）號: CN102130096A
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 王強;陳嵐;阮文彪;李志剛;楊飛;周雋雄;葉甜春
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 王建國

1.一種集成電路金屬冗余填充物耦合電容的測試結構，其特征在于：該測試結構包括由介質、待測銅線陣列、外圍引線、測試引腳組成的測試金屬層，其中：待測銅線陣列設置于介質上，包括若干彼此平行的待測銅線，其中奇數列的待測銅線通過引線相連形成梳狀的第一待測銅線組，偶數列的待測銅線通過引線相連形成梳狀的第二待測銅線組；相鄰的待測銅線中間可加入金屬冗余填充物；通過所述外圍引線將待測銅線陣列中的第一、第二待測銅線組分別與測試引腳相連接；通過所述測試引腳連接耦合電容測量設備，從而測量第一、第二待測銅線組之間的耦合電容。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述待測銅線陣列的橫向寬度和縱向長度相等。

3.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述待測銅線的線寬和相鄰兩條銅線之間的間距比例應使測試結構的金屬密度低于15％。

4.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于：所述測試引腳被設置為測試引腳陣列。

5.根據權利要求5所述的測試結構，其特征在于：所述測試結構包括若干個上下重疊的所述測試金屬層，其中通過通孔連接各測試金屬層當中位于所述測試引腳陣列相同位置的所述測試引腳。

6.一種集成電路金屬冗余填充物耦合電容的測試方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)設置金屬冗余填充物耦合電容的測試結構，該測試結構包括由介質、待測銅線陣列、外圍引線、測試引腳組成的測試金屬層，設置步驟包括：在介質上設置待測銅線陣列，所述待測銅線陣列包括若干彼此平行的待測銅線，其中奇數列的待測銅線通過引線相連形成梳狀的第一待測銅線組，偶數列的待測銅線通過引線相連形成梳狀的第二待測銅線組；利用外圍引線將待測銅線陣列中的第一、第二待測銅線組分別與測試引腳相連接，將所述測試引腳連接耦合電容測量設備；

(2)測量所述待測銅線陣列在無填充時的耦合電容；

(3)在所述待測銅線陣列中相鄰的待測銅線之間加入金屬冗余填充物，測量加入金屬冗余填充物后的耦合電容。

7.根據權利要求6所述的測試方法，其特征在于：所述測試方法進一步包括步驟：

改變金屬冗余填充物的形狀、尺寸、填充物與待測銅線的間距、填充物彼此間距當中的任意一項或多項，測量改變后的耦合電容。

8.根據權利要求6所述的測試方法，其特征在于：所述測試方法進一步包括：設置若干個上下重疊的所述測試金屬層，并將各測試金屬層的所述測試引腳設置為測試引腳陣列；設置通孔，連接各測試金屬層當中位于所述測試引腳陣列相同位置的所述測試引腳；通過最上層測試金屬層中的所述測試引腳測量各測試金屬層的耦合電容。