[發明專利]一種真空氣氛下制備高阻區熔硅單晶的加熱線圈裝置

有效

• 申請號: 201010300218.0
• 申請日: 2010-01-12
• 公開（公告）號: CN101787559A
• 公開（公告）日: 2010-07-28
• 發明（設計）人: 蔣娜;鄧良平;程宇;朱銘;謝江帆
• 申請（專利權）人: 峨嵋半導體材料研究所
• 主分類號: C30B13/00
• 分類號: C30B13/00;C30B29/06
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 劉明芳;吳彥峰

1.一種真空氣氛下制備直徑40mm以上的高阻區熔硅單晶的加熱線圈裝置，其特征在于包括配合使用的多晶硅真空區熔提純加熱線圈裝置和硅單晶真空成晶加熱線圈裝置；

所述多晶硅真空提純加熱線圈裝置從上到下依次包括上短路環、多匝加熱線圈、下短路環；

其中，上短路環、多匝加熱線圈、下短路環相互平行且都垂直于走晶方向，三者按照從上到下的順序固連在電極筒上，并且上、下短路環的直徑比多匝加熱線圈的外徑略大；

所述硅單晶真空成晶加熱線圈裝置包括一個固連在電極筒上的單匝平板式加熱線圈;

其中，單匝平板式加熱線圈上表面有向線圈內部凹陷的臺階，線圈的厚度由外徑處向內徑處逐漸減小，線圈下表面有5-20°的傾角，線圈外徑的側圓周表面沿周向均布有鉛垂方向的刻線槽，線圈的內徑處有貫通上下表面的十字開口。

2.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述的上短路環距離多匝加熱線圈7mm-14mm，下短路環距離多匝加熱線圈8mm-15mm。

3.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述的多匝加熱線圈的匝數為3-5匝。

4.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述的多匝加熱線圈的匝間距為1mm-5mm。

5.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述的多匝加熱線圈的內徑為35mm-42mm。

6.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述單匝平板式加熱線圈的內徑為25mm-30mm，外徑80mm-140mm。

7.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述單匝平板式加熱線圈內徑處的板厚為1mm-5mm，外徑處的板厚為5mm-20mm。

8.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述硅單晶真空成晶加熱線圈裝置，在單匝平板式加熱線圈的下方，設置一個安裝在壁爐上的保溫罩，所述保溫罩的直徑為80mm-140mm，高度為15mm-50mm。

9.根據權利要求1所述的加熱線圈裝置，其特征在于：所述單匝平板式加熱線圈的刻線槽，深度1mm-2mm，相鄰兩個線槽間的弧長為5mm-20mm。