[發明專利]高電壓裝置以及形成高電壓裝置的方法

有效

• 申請號: 201010299853.1
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN102082174A
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 姚智文;潘善仁;柳瑞興;周學良;蔣柏煜;陳吉智;段孝勤
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 陳紅

1.一種高電壓裝置，其特征在于，包含：

一柵極介電結構，其位于一基板上，該柵極介電結構具有一第一部分以及一第二部分，該第一部分具有一第一厚度且位于該基板中一第一摻雜型的一第一井區間上，該第二部分具有一第二厚度且位于一第二摻雜型的一第二井區間上，該第一厚度大于該第二厚度；

一柵極，其設置于該柵極介電結構上；

一金屬層，其設置于該柵極上且與該柵極耦接，該金屬層沿著該柵極介電結構下方的一通道的方向延伸；以及

至少一源/漏極區間，其設置于該第一摻雜型的該第一井區間中。

2.根據權利要求1所述的高電壓裝置，其特征在于，該第一厚度介于300埃與1,000埃之間。

3.根據權利要求1所述的高電壓裝置，其特征在于，該金屬層具有一第一邊緣，該柵極具有一第二邊緣，該至少一源/漏極區間具有一第三邊緣，且該第一邊緣位于該第二邊緣與該第三邊緣之間。

4.根據權利要求3所述的高電壓裝置，其特征在于，在該第二邊緣與該第三邊緣之中該第一邊緣較接近該第三邊緣。

5.根據權利要求1所述的高電壓裝置，其特征在于，該第一部分以及該第二部分具有一交界，且該交界位于該第一摻雜型的該第一井區間上。

6.根據權利要求1所述的高電壓裝置，其特征在于，該高電壓裝置的該柵極與該至少一源/漏極區間之間無需設置任何隔離結構。

7.一種用以形成高電壓裝置的方法，其特征在于，包含下列步驟：

形成一柵極介電結構于一基板上，該柵極介電結構具有一第一部分以及一第二部分，該第一部分具有一第一厚度且位于該基板中一第一摻雜型的一第一井區間上，該第二部分具有一第二厚度且位于一第二摻雜型的一第二井區間上，該第一厚度大于該第二厚度；

形成一柵極于該柵極介電結構上；

形成至少一源/漏極區間于該第一摻雜型的該第一井區間中；以及

形成一金屬層并使其耦接至該柵極或該至少一源/漏極區間，該金屬層沿著該柵極介電結構下方的一通道的方向延伸。

8.根據權利要求7所述的用以形成高電壓裝置的方法，其特征在于，形成該柵極介電結構包含下列步驟：

形成該柵極介電結構的該第一部分；以及

形成該柵極介電結構的該第二部分，其中該第一部分與該第二部分由分別的工藝形成。

9.根據權利要求8所述的用以形成高電壓裝置的方法，其特征在于，形成該柵極介電結構進一步包含下列步驟：

形成一交界于該第一部分與該第二部分之間，且該交界位于該第一摻雜型的該第一井區間上。

10.根據權利要求7所述的用以形成高電壓裝置的方法，其特征在于，形成該金屬層包含下列步驟：

定義該金屬層的一邊緣，其中該金屬層的該邊緣位于該柵極的一邊緣與該至少一源/漏極區間的一邊緣之間，其中在該柵極的該邊緣與該至少一源/漏極區間的該邊緣之中該金屬層的該邊緣較接近該至少一源/漏極區間的該邊緣。