[發明專利]一種基于自倍頻激光晶體的單頻可見光激光器

有效

• 申請號: 201010299206.0
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN102025100A
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 王繼揚;張懷金;于浩海;王正平;蔣民華;許祖彥;宗楠;彭欽軍
• 申請（專利權）人: 山東大學;中國科學院理化技術研究所
• 主分類號: H01S3/16
• 分類號: H01S3/16;H01S3/06;H01S3/109;H01S3/0941
• 代理公司: 北京法思騰知識產權代理有限公司 11318
• 代理人: 楊小蓉;高宇

1.一種單頻可見光激光器，包括泵浦源和激光晶體，其中，所述的泵浦源輸出光前方光路上設置所述激光晶體；其特征在于，所述的激光晶體為一塊自倍頻激光晶體，所述的自倍頻激光晶體是沿該晶體I類倍頻相位匹配方向加工成厚度0.1-1mm的片狀，所述的片狀的自倍頻激光晶體兩端面為通光面，該自倍頻激光晶體的入射端面鍍以對泵浦光增透，且對基頻光和倍頻光高反的介質膜；在自倍頻晶體的激光輸出端面上鍍對泵浦光和基頻光高反，且對倍頻光波段高透的介質膜；所述的泵浦源的發射中心波長為自倍頻晶體的吸收波長，泵浦光從自倍頻晶體入射端面注入自倍頻晶體中，泵浦光功率達到閾值后，由自倍頻晶體直接輸出單頻可見激光。

2.根據權利要求1所述的單頻可見光激光器，其特征在于，還包括一LD光學耦合部件，所述的LD光學耦合部件設置在泵浦源和自倍頻晶體之間的光路中。

3.根據權利要求2所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述的光學耦合部件為焦距f＝5mm-1000mm的凸透鏡、光纖、非球面透鏡或柱面鏡。

4.根據權利要求1所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述自倍頻激光晶體為釹摻雜的硼酸鈣氧釔Nd:YCa₄O(BO₃)₃、硼酸鈣氧釓Nd:GdCa₄O(BO₃)₃、四硼酸鋁釔晶體Nd:YAl₃(BO₃)₄或者四硼酸鋁釓晶體Nd:GdAl₃(BO₃)₄，其中Nd³⁺摻雜濃度是0.001-0.25at.。

5.根據權利要求4所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述釹摻雜的硼酸鈣氧釔的切割角度為θ＝90°±5°，φ＝35°±5°；θ＝148°±5°，φ＝0°±5°；

所述硼酸鈣氧釓的切割角度為θ＝90°±5°，φ＝46°±5°；θ＝160°±5°，φ＝0°±5°；或者θ＝113°±5°，φ＝47.5°±5°；

所述四硼酸鋁釔晶體的切割角度為θ＝30°±5°；

所述四硼酸鋁釓晶體的切割角度為θ＝30°±5°。

6.根據權利要求1所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述的自倍頻激光晶體截面為矩形或圓形，通光面形為平面、球面或非球面。

7.根據權利要求1所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述的泵浦源為連續或者脈沖運轉的半導體激光器、光纖激光器或者鈦寶?石激光器；

8.根據權利要求7所述的單頻可見光激光器，其特征在于，所述的半導體激光器為半導體激光二極管，所述的半導體激光二極管為單管結構、列陣結構或面發射結構。?