[發明專利]一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法

無效

• 申請號: 201010298989.0
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN101975554A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 徐晨;趙振波;解意洋;周康;劉發;沈光地
• 申請（專利權）人: 北京工業大學
• 主分類號: G01B11/08
• 分類號: G01B11/08
• 代理公司: 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203
• 代理人: 張慧

1.一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法，所述測定方法可測量觀看所有波段面的發射激光器，其特征在于：所述測定方法可以測定各種面發射半導體激光器電流限制孔，包括可測量長度的刻度顯微鏡，測定時，首先將待測半導體激光器施加小電流觀察，直到半導體激光器出現微弱熒光，便可看到激光器電流限制孔形狀光斑，然后用刻度顯微鏡觀察測量光斑尺寸，即可測定電流限制孔孔徑尺寸；所述測定方法對于改善模式特性的光子晶體垂直腔面發射激光器、分布孔激光器，可實現刻蝕缺陷孔即出光孔與電流限制孔的相對位置對準觀察。

2.根據權利要求1所述的一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法，其特征在于：所述待測半導體激光器為未解理的激光器芯片，其放在探針臺上施加小電流測試管芯，進行片上測試。

3.根據權利要求1所述的一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法，其特征在于：所述待測半導體激光器為封裝后的激光器器件，封裝后的激光器為壓焊在熱沉管座上的激光器，并用電流源在管座引腳上施加電流進行封裝后測試。

4.根據權利要求1所述的一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法，其特征在于：所述刻度顯微鏡的放大倍數為1000倍，分辨率為0.5微米。

5.根據權利要求1所述的一種非破壞性面發射半導體激光器電流限制孔徑測定方法，其特征在于：所述面發射半導體激光器電流限制孔為氧化電流限制孔或離子注入電流限制孔。