[發(fā)明專利]一種聚電解質復合涂層的制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010298922.7
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN101961508A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 李曉東;黃穎
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: A61L27/34
• 分類號: A61L27/34;A61L27/06
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高;趙杭麗

1.一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，通過以下步驟實現(xiàn)：

(1)制備精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸接枝的聚電解質：首先將由SciLight?Biotechnology，LLC公司合成的多肽鏈段和聚電解質溶解在水溶液中，配置成混合溶液，然后加入碳化二亞胺/N-羥基琥珀酰亞胺催化體系，室溫下反應4小時，然后將所得到的產(chǎn)物純凈水中透析1周，在透析液中直接加入木蘇糖或者谷胱甘肽溶解，常溫下保持不少于4小時，然后再在純凈水中透析1周，最后凍干，得到精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸接枝的聚電解質，所述多肽鏈段為GRGDSPC(S-S)CPSDGRG；

其中：

所述聚電解質選用透明質酸、堿溶明膠、聚谷氨酸、聚天冬氨酸中的一種或者幾種，得到的產(chǎn)物是精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸接枝的聚陰電解質；

所述聚電解質選用I型膠原、殼聚糖、酸溶明膠、聚精氨酸、聚賴氨酸、聚組氨酸中的一種或者幾種，得到的產(chǎn)物是精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸接枝的聚陽電解質。

(2)聚電解質溶液的配置：將步驟(1)獲得的聚陰離子聚電解質或聚陽離子聚電解質分別配置成溶液，二者為一組溶液；

(3)精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸交聯(lián)的聚電解質涂層的制備：用步驟(2)中的一組溶液，首先在鈦基種植體表面沉積聚陽電解質，沉積一定時間后，充分水洗，然后沉積聚陰電解質層，沉積一定時間后，充分水洗，以上操作為一次沉積循環(huán)，重復循環(huán)操作，得到聚電解質復合層，將聚電解質復合層在氯胺T溶液或者雙氧水溶液中浸泡，取出后充分水洗，得到精氨酸-甘氨酸-天冬氨酸交聯(lián)的聚電解質復合涂層。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟(1)中聚電解質的濃度為0.1-50mg/ml，多肽鏈段的量與聚電解質中羧基含量的摩爾比例為1∶10000-1∶1，碳化二亞胺/N-羥基琥珀酰亞胺催化體系的用量為1∶1-20∶1，碳化二亞胺的用量與多肽鏈段的用量的摩爾比例為1∶1-10∶1，所用的木蘇糖或者谷胱甘肽的濃度與碳化二亞胺/N-羥基琥珀酰亞胺體系中雙硫鍵的摩爾比例為1∶1-50∶1。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟(2)中聚電解質溶液的濃度范圍為0.1mg/ml-10mg/ml，其中聚電解質溶液中NaCl濃度為0.1-0.2mol/L。

4.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中聚電解質層所用的沉積時間為5-20分鐘，聚電解質復合層的沉積循環(huán)為0.5-50次。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中聚電解質復合層在氯胺T中的浸泡時間為5-180秒，氯胺T的濃度為0.5-10mM，在雙氧水中浸泡時間為5-60分鐘，雙氧水的濃度為1-50mM。

6.根據(jù)權利要求1所述的一種聚電解質復合涂層的制備方法，其特征在于，步驟(3)中所用的鈦基種植體表面選用經(jīng)氧化性酸處理的純鈦或者鈦合金表面、非氧化型酸處理的純鈦或者鈦合金種植體表面、噴砂/酸處理的表面、堿熱法得到的純鈦或者鈦合金種植體表面、電化學得到的表面、羥基磷灰石涂層的純鈦或者鈦合金種植體表面、鈦或者羥基磷灰石噴漿表面的純鈦或者鈦合金種植體表面、鈦噴漿/酸處理的純鈦或者鈦合金表面、離子注入的純鈦或者鈦合金種植體表面、或激光處理的純鈦或者鈦合金種植體表面。