[發明專利]一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法

無效

• 申請號: 201010298904.9
• 申請日: 2010-10-08
• 公開（公告）號: CN102097527A
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 張學玲
• 申請（專利權）人: 常州天合光能有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 常州市維益專利事務所 32211
• 代理人: 王凌霄

1.一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法，其工藝流程如下：

1)、N型直拉單晶硅片(1)正面經過清洗及正金字塔織構化處理；

2)、N型直拉單晶硅片(1)通過BBr₃液態硼擴散源制備P型發射結(2)；

3)、使用HF/HNO₃混合液刻蝕掉背面的P型發射結(2)及同時用HF去除硼硅玻璃；

4)、N型直拉單晶硅片(1)正面P型發射結(2)面沉積致密的氮化硅掩膜層，氮化硅掩膜層厚度為80～100nm；

5)、N型直拉單晶硅片(1)背面通過使用POCl₃液態磷擴散源制備背面場N型發射結(6)；

6)、使用熱的濃磷酸去除氮化硅掩膜層；

7)、使用等離子體刻蝕去除邊緣P-N結；

8)、使用濃度2～10％HF去除磷硅玻璃；

9)、正面場P型發射結(2)面先沉積10～50nm的Al₂O₃鈍化膜(3)，然后正面場再沉積厚度為40～80nm的氮化硅減反射膜(4)，Al₂O₃鈍化膜(3)和氮化硅減反射膜(4)的總厚度為70～80nm；

10)、背面場N型發射結(6)面沉積厚度為70-100nm的氮化硅鈍化膜(7)；

11)、正面場印刷銀鋁漿，烘干成銀鋁金屬柵線(5)；

12)、背面場印刷銀漿，燒結成銀金屬柵線(8)。

2.根據權利要求1所述的一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法，其特征是工序2)中：所述的BBr₃液態硼擴散源制備P型發射結(2)，擴散溫度900～950℃，時間為40～60min，方塊電阻為60ohm/Sq。

3.根據權利要求1所述的一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法，其特征是工序5)中：POCl₃液態磷擴散源制備背面場N型發射結(6)，擴散溫度800～900℃，時間為30～50min，方塊電阻為40ohm/Sq。

4.根據權利要求1所述的一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法，其特征是工序9)中：正面場P型發射結(2)面先沉積20nm的Al₂O₃鈍化膜(3)，并在400℃下退火5min，用PECVD法沉積55nm的SiNx:H減反射膜(4)。

5.根據權利要求1所述的一種掩膜擴散法制備N型太陽能電池的方法，其特征是工序10)中：背面場N型發射結(6)面用PECVD法沉積厚度為70-100nm的SiNx:H鈍化膜(7)。