[發(fā)明專利]一種納米孔電學傳感器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010298015.2
• 申請日: 2010-09-30
• 公開（公告）號: CN101986145A
• 公開（公告）日: 2011-03-16
• 發(fā)明（設計）人: 徐明生;陳紅征;施敏敏;吳剛;汪茫
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00;C12M1/34;B82B1/00
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.?一種納米孔電學傳感器，其特征在于包括從下到上依次層疊的基板（1）、第一絕緣層（2）、納米功能層（3）和第二絕緣層（6），在基板（1）、第一絕緣層（2）、納米功能層（3）和第二絕緣層（6）的中心設有納米孔（4），所述納米功能層（3）為中心帶納米孔（4）的薄片狀。

2.?根據權利要求1所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于在第一絕緣層（2）上表面、納米功能層（3）邊緣設有與納米功能層(3)相連接的電接觸層（5）。

3.?根據權利要求1所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述納米功能層（3）的厚度為0.3～3.5?nm。

4.?根據權利要求1或2或3所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的納米功能層（3）的材料為層狀導電材料，層狀導電材料為石墨、還原的氧化石墨烯、部分氫化的石墨烯、BNC、MoS₂、NbSe₂或Bi₂Sr₂CaCu₂O_x。

5.?根據權利要求4所述的一種納米孔電學傳感器,?其特征在于所述的層狀導電材料為石墨，石墨為1～10層的石墨烯薄膜。

6.?根據權利要求1或2或3所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的基板（１）的材料為半導體材料或絕緣材料，半導體材料為Si、GaN、Ge或GaAs中的一種或多種的混合物，絕緣材料為SiC、Al₂O₃、SiN_x、SiO₂、HfO₂、聚乙烯醇、聚（4－乙烯基苯酚）、二乙烯基四甲基二硅氧烷－二（苯并環(huán)丁烯）或聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種的混合物。

7.?根據權利要求1或2或3所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的第一絕緣層（2）和第二絕緣層（6）的材料為SiO₂、Al₂O₃、BN、SiC、SiN_x、聚乙烯醇、聚（4－乙烯基苯酚）、二乙烯基四甲基二硅氧烷－二（苯并環(huán)丁烯）或聚甲基丙烯酸甲酯中的一種或多種的混合物。

8.?根據權利要求1或2或3所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的納米孔（4）為圓孔，納米孔（4）的孔徑為1～50?nm。

9.?根據權利要求1或2或3所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的納米孔（4）為多邊形孔或者橢圓孔，其孔周圍兩點之間的最大距離為1～50?nm。

10.?根據權利要求2所述的一種納米孔電學傳感器，其特征在于所述的電接觸層（5）的材料為Au、Cr、Ti、Pd、Pt、Cu、Al、Ni或PSS:PEDOT中的一種或多種的混合物。