[發明專利]氮化鎵基紫外光發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201010297408.1
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN102437260A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 洪梓健;沈佳輝
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種氮化鎵基紫外光發光二極管，包括基板、緩沖層及半導體發光結構，基板上形成若干陣列分布的凸起，相鄰的凸起之間相互間隔形成一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面，緩沖層形成于基板的每一凹陷的底面，其特征在于：還包括橫向生長增強層，橫向生長增強層覆蓋于基板及緩沖層之上，半導體發光結構位于橫向生長增強層上。

2.如權利要求1所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：橫向生長增強層為摻雜雜質的Al_xGa_1-xN，0.01＜x＜0.2，雜質選自鎂、鉻、錳、鐵、鉬、鋅或者鈷其中一種。

3.如權利要求2所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：雜質的摻雜濃度為10¹⁷-10²⁰cm^-3。

4.如權利要求1所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：緩沖層僅部分填充于基板的每一個凹陷內。

5.如權利要求1所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：橫向生長增強層的厚度大于基板的凹陷的深度且小于3μm。

6.如權利要求1所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：橫向生長增強層的頂面為光滑的平面以進一步形成半導體發光結構。

7.如權利要求1所述的氮化鎵基紫外光發光二極管，其特征在于：凹陷的深度為0.5μm-2μm。

8.一種氮化鎵基紫外光發光二極管制造方法，其包括以下步驟：

提供基板，基板包括若干陣列分布的凸起，相鄰的凸起之間相互間隔一凹陷，基板于每一凹陷的底部形成一底面；

于基板的每一凹陷的底面上形成緩沖層，緩沖層僅部分填充于基板的每一個凹陷內；

于基板及緩沖層之上形成橫向生長增強層；

于橫向生長增強層上形成半導體發光結構。

9.如權利要求8所述的氮化鎵基紫外光發光二極管制造方法，其特征在于：橫向生長增強層為摻雜雜質的Al_xGa_1-xN，0.01＜x＜0.2，雜質選自鎂、鉻、錳、鐵或者鈷其中一種，雜質的摻雜濃度為10¹⁷-10²⁰cm^-3。

10.如權利要求8所述的氮化鎵基紫外光發光二極管制造方法，其特征在于：凹陷的深度為0.5μm-2μm，橫向生長增強層的厚度大于基板的凹陷的深度且小于3μm，橫向生長增強層的頂面為光滑的平面以進一步形成半導體發光結構。