[發(fā)明專利]高溫相鉬酸碲鋇晶體及其制備方法與應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010297346.4 | 申請日: | 2010-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN102031563A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陶緒堂;張俊杰;張衛(wèi)國;孫友軒;張承乾;蔣民華 | 申請(專利權(quán))人: | 山東大學(xué) |
| 主分類號: | C30B29/32 | 分類號: | C30B29/32;C30B9/06;G02F1/355;G02F1/39;G02B5/30 |
| 代理公司: | 濟(jì)南金迪知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37219 | 代理人: | 李寶成 |
| 地址: | 250100 山*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高溫 鉬酸 晶體 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種高溫相鉬酸碲鋇晶體,化學(xué)式為BaTeMo2O9,屬于正交晶系,空間群為Pca21,a=14.8683(2)b=5.66360(10)c=17.6849(3)紫外-可見-近紅外透過光譜和中紅外透過光譜顯示,該晶體在380~5530nm的波長范圍內(nèi)透過,室溫下,用1064nm的紅外激光入射晶體,產(chǎn)生波長為532nm的綠光。
2.權(quán)利要求1所述高溫相鉬酸碲鋇晶體的制備方法,采用助熔劑法生長,步驟如下:
(1)將BaCO3、Ba(OH)2或BaO之一與TeO2、MoO3按化學(xué)計(jì)量比配料,在560-580℃合成高溫相鉬酸碲鋇多晶;將合成的高溫相鉬酸碲鋇多晶加入到助熔劑中,所述助熔劑是TeO2-MoO3,其中TeO2與MoO3摩爾比為(4~0.25)∶1,高溫相鉬酸碲鋇多晶與助熔劑的摩爾比為(1~0.14)∶1;將多晶和助熔劑研磨均勻,裝入鉑金坩堝;
或者,采用直接混料法:
直接將BaCO3、Ba(OH)2或BaO之一與TeO2、MoO3按摩爾比1∶(2~5)∶(3~6)稱量,混合均勻,裝入鉑金坩堝;優(yōu)選的,按BaCO3、Ba(OH)2或BaO之一與TeO2、MoO3按摩爾比1∶3.4∶4稱量;
(2)升溫至650℃使鉑金坩堝內(nèi)原料熔化并混合均勻;降溫至熔體飽和點(diǎn),下入高溫相鉬酸碲鋇籽晶,降溫使晶體生長;生長溫度區(qū)間為530~590℃;降溫速率為0.01~5℃/h,生長周期12~50天。
3.如權(quán)利要求2所述高溫相鉬酸碲鋇晶體的制備方法,其特征在于步驟(2)晶體生長的晶轉(zhuǎn)參數(shù)為:轉(zhuǎn)速5~50rpm,加速1~10s,運(yùn)行30~180s,間歇5~50s。
4.如權(quán)利要求2所述高溫相鉬酸碲鋇晶體的制備方法,其特征在于步驟(2)晶體生長的降溫速率為0.01-0.1℃/h。
5.權(quán)利要求1所述的正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為非線性光學(xué)晶體的用途,用于將包含至少一束入射電磁波,通過至少一塊非線性光學(xué)晶體后,產(chǎn)生至少一束頻率不同于入射電磁波的輸出輻射裝置,其中的非線性光學(xué)晶體至少一塊是正交晶系高溫相鋁酸碲鋇晶體。
6.如權(quán)利要求5所述的用途,正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為非線性光學(xué)晶體用于激光頻率變換器、制作光參量放大器或光參量振動器。
7.權(quán)利要求1所述的正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為雙折射晶體的用途,用于制作渥拉斯頓棱鏡、洛匈棱鏡、格蘭-泰勒棱鏡、偏光棱鏡或光隔離器件。
8.權(quán)利要求1所述的正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為壓電晶體,用于制作壓電振蕩器、濾波器、壓電換能器、壓電式壓力傳感器、電聲換能器或超聲波傳感器。
9.權(quán)利要求1所述的正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為鐵電晶體的應(yīng)用。
10.權(quán)利要求1所述的正交晶系高溫相鉬酸碲鋇晶體作為熱釋電晶體或激光基質(zhì)材料的應(yīng)用。
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