[發(fā)明專利]一種大孔容消光劑的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010296802.3 | 申請(qǐng)日: | 2010-09-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN101941706A | 公開(公告)日: | 2011-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 丁海燕;陳楓;帥宏喜 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 杭州中富彩新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01B33/12 | 分類號(hào): | C01B33/12 |
| 代理公司: | 杭州天欣專利事務(wù)所 33209 | 代理人: | 陳紅 |
| 地址: | 310000 浙江*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 大孔容消光劑 制備 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種大孔容消光劑的制備方法,屬于化工領(lǐng)域。
背景技術(shù)
在涂料工業(yè)中,二氧化硅因其折射指數(shù)與該行業(yè)所使用的大部分樹脂的折射指數(shù)相近(DE-PS?24?14?478、DE-PS?17?67?332、DE-OS?16?69?123、DE-AS?15?92?865、DE-A?38?15?670),用于大漆中具有良好的光學(xué)性能,因而二氧化硅成為高檔涂料消光劑的首選。影響二氧化硅消光劑的主要特性參數(shù)有孔體積(空隙率)、平均粒徑和孔徑分布、表面處理等。較早用于消光劑的是氣相法生產(chǎn)的無定形二氧化硅,例如中國(guó)專利申請(qǐng)CN2822370.5中公開一種無定形顆粒狀二氧化硅的二氧化硅消光劑,其中該二氧化硅用氧化聚烯烴蠟予以處理。
現(xiàn)今生產(chǎn)二氧化硅的方法主要包括氣相法(干法)和液相法(濕法)。干法二氧化硅的性能雖好,但是價(jià)格昂貴,使用受到限制。目前普遍使用的是濕法制備二氧化硅。濕法生產(chǎn)二氧化硅從工藝路線上可分為凝膠法和沉淀法,其工藝方法可以參考美國(guó)專利?US?6103,?004、US?5123,?964和US?5637,?636?所公開的方法。對(duì)于濕法所生產(chǎn)的二氧化硅來說,不同的工藝路線所得到的產(chǎn)品性能是不同的:凝膠法制備出的二氧化硅結(jié)構(gòu)牢固,孔徑分布窄,透明性好,但是空隙率低;沉淀法制備的二氧化硅空隙率高,但是結(jié)構(gòu)性疏松,在高剪切下結(jié)構(gòu)容易被破壞,并且透明性也較差(參考文獻(xiàn)見國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局發(fā)明專利公開申請(qǐng)?zhí)?2156478.7)。
到目前為止,液相法現(xiàn)有的技術(shù)所生產(chǎn)的二氧化硅不能滿足即結(jié)構(gòu)牢固、又空隙率高的要求。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種工藝設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、合理,產(chǎn)品具有大孔容、大比表面積、高純度、適中的DBP吸收值、分散性能良好、透明度高等優(yōu)點(diǎn)的大孔容消光劑的制備方法。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該大孔容消光劑的制備方法,其制備工藝步驟是:
a、室溫下,將模板劑溶于酸溶液中,調(diào)節(jié)pH=1-3,攪拌形成均勻溶液;
b、在攪拌的條件下,向上述均勻溶液中緩慢滴加硅源,攪拌均勻后倒入密封反應(yīng)容器中,升溫到40-80℃,攪拌反應(yīng)18-48?h,制得凝膠;
c、將步驟b所得凝膠陳化3-8h,然后洗滌、干燥,放入350-550?oC的馬弗爐內(nèi)煅燒2-6?h,最后得粉碎分級(jí)得到大孔容消光劑成品。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的步驟b中,加入硅源的同時(shí)加入水溶性聚胺酯乳化液(黏度為CP<1200),按硅源中二氧化硅總量的10-20%加入水溶性聚胺酯。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的水溶性聚胺酯乳化液的制備方法是:在3.0重量份的聚胺酯中加入0.4重量份的乳化劑、1.8份活性劑,在100-150?℃的溫度下溶化,然后加入到75-95?℃的25重量份的水中,并攪拌均勻,得到水溶性聚胺酯乳化液。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的乳化劑Pronic?P123,乙氧基-丙氧基形成的兩性三嵌段聚合物,P123的分子式EO20PO70EO20,Sigma-Aldrich公司;所述的活性劑為超支化聚酯,由三羥甲基丙烷+二羥甲基丙酸縮合聚合得到,數(shù)均分子量隨反應(yīng)代數(shù)增加而增加,1代到4代為700-5000?g/mol。隨著活性劑分子量(主要是代數(shù))增加,消光粉的孔容、孔徑、比表面積都會(huì)增加。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的硅源選自下列之一:正硅酸乙酯、正硅酸甲酯、正硅酸丙酯、正硅酸丁酯、雙三乙氧硅基乙烷、硅酸鈉、偏硅酸鈉。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的模板劑為2代至5代的超支化聚胺酯(HPAE),所述的2代至5代的超支化聚胺酯(HPAE)以N?,?N2-二羥乙基-3-胺基丙酸甲酯單體和季戊四醇(核)為原料,采用“準(zhǔn)一步法”合成,末端結(jié)構(gòu)為羥基。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的硅源與模板劑的投料質(zhì)量比為3~8:0.2~1.8。
作為優(yōu)選,本發(fā)明所述的酸溶液為鹽酸溶液。
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