[發(fā)明專利]拋光半導體晶片的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010296792.3
• 申請日: 2010-09-27
• 公開（公告）號: CN102049723A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設計）人: J·施萬德納;T·布施哈爾特;R·柯普爾特
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B24B29/02
• 分類號: B24B29/02
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東

1.一種拋光半導體晶片的方法，所述方法包括用固定在拋光板上的且包含固結磨料的拋光墊拋光所述半導體晶片的一面，同時將拋光劑引入到該半導體晶片要拋光的那面與所述拋光墊之間，其中在拋光期間用固定系統(tǒng)固定該半導體晶片，所述固定系統(tǒng)被安裝在載體上且包括具有容納該半導體晶片的尺寸的襯里切口，通過不拋光那面的粘附力使該半導體晶片容納在所述切口中，并且操縱所述載體使得該半導體晶片的部分表面在拋光期間暫時突出在拋光墊的表面之外。

2.一種雙面拋光半導體晶片的方法，所述方法包括以下順序的步驟：

a)用拋光墊拋光所述半導體晶片的背面，所述拋光墊被固定在拋光板上并且包含固結磨料，其中不含固體的拋光劑溶液在該拋光步驟期間被引入到該半導體晶片的背面與該拋光墊之間；

b)用拋光墊以去除材料的方式拋光該半導體晶片的正面，所述拋光墊被固定在拋光板上并且包含固結磨料，其中不含固體的拋光劑溶液在該拋光步驟期間被引入到該半導體晶片的正面與該拋光墊之間；

c)通過用固定在拋光板上的拋光墊拋光該半導體晶片的正面從半導體晶片的正面去除微粗糙度，其中包含磨料的拋光劑漿料在該拋光步驟期間被引入到半導體晶片的正面與所述拋光墊之間；

d)通過用拋光墊拋光半導體晶片的正面來對半導體晶片的正面進行最后拋光，所述拋光墊被固定在拋光板上并且不包含固結在拋光墊中的磨料，其中包含磨料的拋光劑漿料在該拋光步驟期間被引入到半導體晶片的正面與所述拋光墊之間；

其中至少在步驟a)至c)中用固定系統(tǒng)固定所述半導體晶片，所述固定系統(tǒng)被安裝在載體上且包括具有容納該半導體晶片的尺寸的襯里切口，通過不拋光那面的粘附力使該半導體晶片容納在所述切口中，并且操縱所述載體使得該半導體晶片的部分表面在拋光期間暫時突出在拋光墊的表面之外。

3.如權利要求1或2所述的方法，其中所述固定系統(tǒng)的切口用環(huán)來定界，該固定系統(tǒng)沒有可施加壓力的壓力室，并且所述環(huán)不用接觸壓力擠壓所述拋光墊。

4.如權利要求1-3之一所述的方法，其中所述固定系統(tǒng)切口的與半導體晶片不拋光的那面接觸的表面包括壓敏膠，所述表面構成該半導體晶片的支撐面。

5.如權利要求1-4之一所述的方法，其中所述固定系統(tǒng)的支撐面包括軟材料，優(yōu)選根據(jù)Shore?A硬度為20-90的聚氨酯。

6.如權利要求1-5之一所述的方法，其中在所述半導體晶片被引入到所述固定系統(tǒng)的切口之前，潤濕該固定系統(tǒng)的所述支撐面。

7.如權利要求1-6之一所述的方法，其中在拋光期間所述半導體晶片的部分區(qū)域暫時突出在拋光墊的邊緣之外，以便在拋光期間實現(xiàn)對拋光墊整個表面的全面利用。

8.如權利要求1-7之一所述的方法，其中在步驟c)中同樣使用包含固結磨料的拋光墊。

9.如權利要求1-8之一所述的方法，其中在步驟c)中使用不包含固結磨料的拋光墊。

10.如權利要求1-9之一所述的方法，其中含有磨料的拋光墊中的磨料選自元素鈰、鋁、硅或鋯的氧化物顆粒，或者包含硬材料顆粒如碳化硅、氮化硼或金剛石。