[發明專利]充電管理裝置

有效

• 申請號: 201010296265.2
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN101951003A
• 公開（公告）日: 2011-01-19
• 發明（設計）人: 王東旺
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H02J7/00
• 分類號: H02J7/00;H03F1/30
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

1.一種充電管理裝置，其包括：

充電電路，以恒流模式或恒壓模式對電池充電，并提供恒流反饋電壓和恒壓反饋電壓；

恒流放大電路，其兩個差分輸入端分別連接第一參考電壓和所述恒流反饋電壓，其輸出控制所述充電電路以恒流模式對所述電池進行充電；

恒壓放大電路，其兩個差分輸入端分別連接第二參考電壓和所述恒壓反饋電壓，其輸出控制所述充電電路以恒壓模式對所述電池進行充電；

模式轉換控制電路，自動控制所述充電電路由恒流模式轉換為恒壓模式；和

偏移補償電路，在所述充電電路以恒流模式對電池充電時，補償恒壓放大電路對恒流放大電路產生的偏移，在充電電路以恒壓模式對電池充電時，補償恒流放大電路對恒壓放大電路產生的偏移。

2.如權利要求1所述的充電管理裝置，其特征在于：所述充電管理裝置包括一個共用電路，所述共用電路包括第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管、第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管，其中第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管的柵極共同連接于第一偏置電壓源，第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第三NMOS晶體管的源極均接地，第一NMOS晶體管的漏極連接于第一節點、第二NMOS晶體管的漏極連接于第二節點、第三NMOS晶體管的漏極連接于第三節點；其中第五NMOS晶體管、第六NMOS晶體管、第七NMOS晶體管的柵極共同連接于第二偏置電壓源，第五NMOS晶體管的源極連接于第一節點、第六NMOS晶體管的源極連接于第二節點、第七NMOS晶體管的源極連接于第三節點；第五NMOS晶體管的漏極連接于第一輸出節點、第六NMOS晶體管的漏極連接于第二輸出節點、第七NMOS晶體管的漏極連接于第一輸出節點。

3.如權利要求2所述的充電管理裝置，其特征在于：所述恒流放大器電路包括第一偏置電流源、第一差分對輸入管及第二差分對輸入管，所述第一差分對輸入管及第二差分對輸入管連接于前述共用電路，并與前述共用電路、第一偏置電流源一同構成一第一共源共柵電流源；其中所述第一偏置電流源的一端連接于電源，另一端連接于第一差分對輸入管和第二差分對輸入管的源極；所述第一差分對輸入管的柵極連接于一個恒流反饋節點，所述第一差分對輸入管的漏極連接于所述共用電路的第一節點；所述第二差分對輸入管的柵極連接于第一參考電壓源，所述第二差分對輸入管的漏極連接于所述共用電路的第二節點。

4.如權利要求3所述的充電管理裝置，其特征在于：所述恒壓放大器電路包括第二偏置電流源、第四差分對輸入管和第五差分對輸入管，所述第四差分對輸入管和第五差分對輸入管連接于前述共用電路，所述第二偏置電流源、第四差分對輸入管、第五差分對輸入管及共用電路構成第二共源共柵電流源，其中所述第二偏置電流源的一端連接于電源，另一端連接于第四差分對輸入管和第五差分對輸入管的源極；所述第四差分對輸入管的柵極連接于一個恒壓反饋節點，所述第四差分對輸入管的漏極連接于所述共用電路的第三節點；所述第五差分對輸入管的柵極連接于第二參考電壓源，所述第五差分對輸入管的漏極連接于所述共用電路的第二節點。

5.如權利要求4所述的充電管理裝置，其特征在于：所述偏移補償電路包括與所述第二差分對輸入管形成電流鏡并連接至前述共用電路的第一偏移補償電路，所述第一偏移補償電路包括第三PMOS晶體管和第四NMOS晶體管，用于消除恒流放大器電路對恒壓放大器造成的偏移，其中所述第三PMOS晶體管的柵極連接于所述第一參考電壓源，源極連接于第一偏置電流源、漏極連接于第四NMOS晶體管的漏極，所述第四NMOS晶體管的柵極連接于所述第一偏置電壓源，源極連接于所述共用電路的第三節點；所述偏移補償電路還包括與所述第五差分對輸入管形成電流鏡并連接至前述共用電路的第一偏移補償電路，所述第一偏移補償電路包括第六PMOS晶體管和第八NMOS晶體管，用于消除恒壓放大器對恒流放大器造成的偏移，其中所述第六PMOS晶體管的柵極連接于所述第二參考電壓源，源極連接于第二偏置電流源、漏極連接于第八NMOS晶體管的漏極，所述第八NMOS晶體管的柵極連接于所述第一偏置電壓源，源極連接于所述共用電路的第一節點。