[發明專利]一種氮化鎵基發光二極管及其制備方法無效
| 申請號： | 201010296115.1 | 申請日： | 2010-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN101937953A | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發明（設計）人： | 范亞明;王懷兵;郝國棟;劉建平;黃小輝;吳思;孔俊杰;黃強;王峰 | 申請（專利權）人： | 蘇州納晶光電有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/24 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海鋒 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 發光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵基發光二極管，其特征在于，包括：
一襯底；
設于襯底上的一緩沖層；
直接外延在緩沖層上的一本征GaN層；
一N型摻雜GaN外延層，沉積在本征GaN層上；所述N型摻雜GaN外延層上設有N型GaN圖形化模板結構；
一InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱，生長在N型GaN圖形化模板結構之上；
一AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格電子阻擋層，生長在InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱之上；
-P型GaN層，生長在AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格電子阻擋層之上；
一ITO接觸層，設于P型GaN層之上；
在ITO接觸層和N型摻雜GaN外延層上分別設置P型電極和N型電極；
所述N型GaN圖形化模板結構、InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱、AlyGa1-yN或AlyGa1-yN/AlaInbGa1-a-bN超晶格電子阻擋層，以及P型GaN層均為曲面結構。
2.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述襯底為平面藍寶石襯底、圖形化藍寶石襯底、氮化鎵襯底、碳化硅襯底或硅襯底。
3.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述N型GaN圖形化模板結構為連續的蒙古包形狀，蒙古包的直徑、高度以及相鄰蒙古包之間的距離間隔相互匹配，其量級從納米量級延伸至微米量級。
4.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述本征GaN層和N型摻雜GaN外延層的總厚度為3～7μm。
5.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱中勢阱InxGa1-xN層中In的含量x為0.1～0.28，勢阱InxGa1-xN層的厚度為1～4nm；勢壘AlaInbGa1-a-bN層中Al含量a為0～0.3，In含量b為0～0.25，其厚度為6～17nm。
6.根據權利要求1所述的氮化鎵基發光二極管，其特征在于：所述InxGa1-xN/AlaInbGa1-a-bN多量子阱的周期數為5～12。
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