[發明專利]一種基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線無效
| 申請號： | 201010296040.7 | 申請日： | 2010-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102142452A | 公開（公告）日： | 2011-08-03 |
| 發明（設計）人： | 高懷;張曉東;王曉彧;陳濤;薛川 | 申請（專利權）人： | 蘇州英諾迅科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/20 | 分類號： | H01L27/20;H01L41/08;H03H9/42 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215123 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 氮化 材料 單異質結聲 電荷 輸運 延遲線 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，包括基片，其特征在于：所述基片上設有氮化鎵半絕緣型襯底，所述氮化鎵半絕緣型襯底上設有氮化鎵鋁勢壘層，所述氮化鎵半絕緣型襯底兩端有可以構成聲表面波叉指換能器的金屬圖案，所述氮化鎵鋁勢壘層兩端有電極。
2.根據權利要求1所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述基片與氮化鎵半絕緣型襯底之間有第一緩沖層。
3.根據權利要求1所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述氮化鎵半絕緣型襯底與氮化鎵鋁勢壘層之間有第二緩沖層。
4.根據權利要求1所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述氮化鎵半絕緣型襯底厚度需≥5λsaw，λsaw為聲表面波波長。
5.根據權利要求3所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述氮化鎵鋁勢壘層以及第二緩沖層的四邊被刻蝕掉以形成ACT電荷輸運溝道。
6.根據權利要求2所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述第一緩沖層為氮化鎵緩沖層或氮化鋁緩沖層。
7.根據權利要求3所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述第二緩沖層為氮化鎵緩沖層。
8.根據權利要求所述的基于氮化鎵材料的單異質結聲電荷輸運延遲線，其特征在于，所述基片為藍寶石基片。?
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
