[發明專利]用于高電壓靜電放電防護的低電壓結構的防護裝置

有效

• 申請號: 201010295879.9
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN102412237A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 陳信良;陳永初
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/60
• 分類號: H01L23/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 周國城

1.一種靜電放電防護裝置，其特征在于，包括：

一襯底；

一N+摻雜埋藏層，接近地設置于該襯底，且該N+摻雜埋藏層具有一第一部分及一第二部分；

一N型阱區域，接近地設置于該N+摻雜埋藏層的該第一部分，以形成一集極區域；以及

一P型阱區域，接近地設置于該N+摻雜埋藏層的該第二部分，該P型阱區域具有至少一P+摻雜板以及多個分布式N+摻雜板區段，該P+摻雜板對應至一基極區域，且該些分布式N+摻雜板區段對應至一射極區域。

2.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該N型阱區域包括兩個部分，該些部分被設置于該P型阱區域的相對的兩側。

3.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該些分布式N+摻雜板區段分別受到多個柵極結構分隔彼此。

4.根據權利要求3所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該些柵極結構各自具有一柵極氧化層以及一多晶硅層，用以使一偏壓信號得以供應，以據此使得該裝置由于靜電放電的電流耗散于分散的多個晶體管而得以提早開啟靜電放電防護。

5.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該集極區域的幾何形狀以及該基極區域的幾何形狀具有共同的中心。

6.根據權利要求5所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該集極區域、該基極區域、該射極區域以及一柵極區域為具有共同中心的多個圓型，且該柵極區域被設置于該射極區域的多個部分之間，以形成該些分布式N+摻雜板區段。

7.根據權利要求5所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該集極區域、該基極區域以及該射極區域為多個共同中心的圓型，而且通過穿過該射極區域的中心且徑向地延伸的多條線定義出一柵極區域，此外該些線彼此以相等的圓心角為間隔，以形成多個分布式N+摻雜板區段。

8.根據權利要求5所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該集極區域以及該基極區域圍繞一柵極區域，該柵極區域將該射極區域劃分為該些分布式N+摻雜板區段。

9.根據權利要求8所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該柵極區域包括多個線性延伸的部分，該些部分分別平行地設置于該射極區域的多個線性延伸的部分之間，且該柵極區域將該射極區域劃分為該些分布式N+摻雜板區段。

10.根據權利要求8所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該柵極區域包括一網格狀結構，該網格狀結構包括多個線性延伸的部分，該線性延伸的部分的一第一組以及一第二組彼此互相垂直地設置，以劃分該射極區域為該些分布式N+摻雜板區段，該些分布式N+摻雜板區段是以多個排和多個列的方式，形成于該網格狀結構內。

11.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該N型阱區域包括一N型注入材料。

12.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該P型阱區域包括一疊層結構，該疊層結構是由一P型阱與一P+埋藏層或者一P型注入層疊層而成。

13.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該N+摻雜埋藏層包括上外延形成的一N型材料或一N型深阱(deep?N-type?well)。

14.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該N+摻雜埋藏層包括多個疊層的N+埋藏層(N+buried?layer)。

15.根據權利要求1所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，該些分布式N+摻雜板區段各自與多條獨立靜電放電電流耗散路徑中所對應的一者進行關聯。

16.根據權利要求15所述的靜電放電防護裝置，其特征在于，更包括一柵極，該柵極設置于該些分布式N+摻雜板區段之間，使得在一靜電放電事件發生期間，該柵極可以分別地提早開啟該些獨立的靜電放電電流耗散路徑。