[發(fā)明專利]用于制造磁盤裝置的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201010295642.0
• 申請(qǐng)日: 2010-09-21
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102044264A
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-05-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 赤城協(xié);橋本識(shí)志;石渡謙介
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 張煥生;謝麗娜

1.一種用于制造磁盤裝置的方法，其中，

把用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的磁盤、用于寫入/讀取數(shù)據(jù)的磁頭以及用于使所述磁頭相對(duì)于所述磁盤運(yùn)動(dòng)的致動(dòng)器收納在密封的殼體內(nèi)；

在所述殼體中形成用來(lái)提供內(nèi)部與外部之間連通的注氣口和排氣口；以及

在所述注氣口和排氣口處分別設(shè)置過(guò)濾器，

其中：

在所述注氣口處設(shè)置注射噴嘴；

在所述排氣口處設(shè)置吸嘴；以及

在借助于所述吸嘴從所述殼體內(nèi)抽吸氣體的同時(shí)借助于所述注射噴嘴將置換氣體注入到所述殼體中，使得所述殼體內(nèi)的氣體壓力不會(huì)降到低于在所述殼體內(nèi)存在的有機(jī)化合物的蒸汽壓力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，借助于所述吸嘴從所述殼體內(nèi)抽吸氣體，使得所述殼體內(nèi)的氣體壓力不會(huì)降到低于大氣壓力。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，檢測(cè)所述注射噴嘴內(nèi)的氣體壓力和所述吸嘴內(nèi)的氣體壓力，并且基于以下的公式1來(lái)獲得所述殼體內(nèi)的氣體壓力：

[公式1]

(C1C2)2·(dindout)4=P2-P3P1-P2,]]>

在所述公式中，P₁是所述注射噴嘴內(nèi)的氣體壓力，P₂是所述殼體內(nèi)的氣體壓力，P₃是所述吸嘴內(nèi)的氣體壓力，d_in是所述注氣口的直徑，d_out是所述排氣口的直徑，C₁是在所述注氣口處設(shè)置的過(guò)濾器的流率系數(shù)，以及C₂是在所述排氣口處設(shè)置的過(guò)濾器的流率系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，在注入所述置換氣體的同時(shí)使所述磁盤旋轉(zhuǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，所述置換氣體是密度比空氣低的低密度氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，將所述低密度氣體注入到所述殼體中，然后控制所述磁頭與致動(dòng)器使得將伺服數(shù)據(jù)寫到所述磁盤。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，在將低密度氣體注入到所述殼體中的同時(shí)獲取根據(jù)所述殼體內(nèi)的所述低密度氣體的濃度改變的指標(biāo)，從而估計(jì)所述殼體內(nèi)的低密度氣體的濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，所述指標(biāo)是為了使所述磁盤旋轉(zhuǎn)而供應(yīng)至馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)電流的量值。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于制造磁盤裝置的方法，其中，所述指標(biāo)是所述殼體內(nèi)的氧濃度。