[發明專利]一種多晶硅的提純方法無效
| 申請號： | 201010295501.9 | 申請日： | 2010-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102432019A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發明（設計）人： | 劉海英;陳文杰;徐云飛 | 申請（專利權）人： | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
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| 地址： | 518118 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 提純 方法 | ||
1.一種多晶硅的提純方法，包括在超聲環境中，將多晶硅顆粒浸沒于強氧化性溶液中，然后過濾，水洗多晶硅顆粒并干燥；其中，所述多晶硅顆粒的平均粒徑不大于1mm，所述強氧化性溶液的pH值為1-6。
2.根據權利要求1所述的提純方法，其特征在于，所述強氧化性溶液為強氧化物的水溶液；所述強氧化物選自高氯酸鹽、高碘酸鹽、焦硫酸鹽、高錳酸鹽、高氯酸、高碘酸、焦硫酸、高錳酸中的一種或多種。
3.根據權利要求2所述的提純方法，其特征在于，所述強氧化性溶液中，強氧化物的濃度為0.01-100g/l。
4.根據權利要求1-3中任意一項所述的提純方法，其特征在于，多晶硅中硼含量為3-5ppmw。
5.根據權利要求4所述的提純方法，其特征在于，所述超聲頻率為10-60KHZ。
6.根據權利要求1、2、3、5中任意一項所述的提純方法，其特征在于，所述多晶硅顆粒的平均粒徑為500-1000um。
7.根據權利要求1-3中任意一項所述的提純方法，其特征在于，所述強氧化性溶液中含有酸，所述酸選自鹽酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一種或多種；所述酸的含量使強氧化性溶液的pH值為1-6。
8.根據權利要求1、2、3、5中任意一項所述的提純方法，其特征在于，所述多晶硅顆粒的量與強氧化性溶液的質量比為0.001-1.5：1。
9.根據權利要求1、2、3、5中任意一項所述的提純方法，其特征在于，在20-100℃下，將多晶硅顆粒浸沒于強氧化性溶液中10-240min。
10.根據權利要求9所述的提純方法，其特征在于，所述水洗多晶硅顆粒的方法為：采用超純水沖洗多晶硅顆粒至中性；在真空條件下對多晶硅顆粒進行干燥處理。
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