[發明專利]彎曲電極和采用該彎曲電極的電化學加工方法和組件有效
| 申請號: | 201010294548.3 | 申請日: | 2010-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102019470A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發明(設計)人: | 魏斌;G·C·利奧塔 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | B23H3/04 | 分類號: | B23H3/04;B23H3/00;B23H9/14 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 肖日松;譚祐祥 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 電極 采用 電化學 加工 方法 組件 | ||
1.一種用于電化學加工工藝的電極(10),所述電極包括:
彎曲導電部件(12);和
絕緣覆層(14),其至少覆蓋所述彎曲導電部件的側表面的一部分;
其中,所述彎曲導電部件(12)是中空的并構造成接收電解質,并且所述彎曲導電部件包括耐腐蝕材料。
2.一種用于在工件(20)中加工彎曲孔(22)的電化學加工組件(30),所述組件包括:
至少一個彎曲電極(10);
電源(32),其操作地連接以提供脈沖電壓到所述至少一個彎曲電極和所述工件;以及
旋轉驅動器(34),其操作地連接以沿著所述工件內的彎曲路徑移動所述至少一個彎曲電極,
其中,所述電化學加工組件構造成當所述脈沖電壓施加到所述至少一個彎曲電極和所述工件時從所述工件去除材料。
3.根據權利要求2所述的電化學加工組件(30),其特征在于,所述至少一個彎曲電極(10)是中空的,并且所述電化學加工組件(30)還包括:
電解質流體源(36),其與所述至少一個彎曲中空電極流體式連接,用于供應電解質到所述至少一個彎曲中空電極;和
貯存器(38),其操作地連接到所述旋轉驅動器(34)和所述至少一個彎曲中空電極(10),以沿著所述工件(20)內的彎曲路徑移動所述至少一個彎曲電極,其中,所述貯存器與所述泵(36)流體式連接,以從所述泵接收所述電解質并供應所述電解質到所述至少一個彎曲中空電極。
4.根據權利要求3所述的電化學加工組件(30),其特征在于,所述電化學加工組件(30)還包括總線(39),其電氣地連接到所述電源(32)和所述至少一個彎曲中空電極(10),以供應所述脈沖電壓到所述至少一個彎曲中空電極,所述總線(39)至少部分地布置在所述貯存器(38)中。
5.根據權利要求3所述的電化學加工組件(30),其特征在于,所述電化學加工組件(30)包括多個彎曲中空電極(10),所述貯存器(38)限定多個開口(31),各所述彎曲中空電極延伸通過所述開口中的相應開口,所述旋轉驅動器(34)操作地連接到所述貯存器以沿著所述工件(20)內的多個彎曲路徑中的相應彎曲路徑移動各所述彎曲中空電極,
其中,多個所述開口(31)布置在所述貯存器(38)的第一側面(41),以便多個所述彎曲中空電極(10)從所述貯存器的第一側面延伸,
其中,多個所述開口(31)布置在所述貯存器(38)的第二側面(43),以便多個所述彎曲中空電極(10)從所述貯存器的第二側面延伸,從所述貯存器的第一側面(41)延伸的所述電極構造成在所述工件(20)中加工多個彎曲孔(22)的第一部分,從所述貯存器的第二側面延伸的所述電極構造成在所述工件中加工所述彎曲孔的第二部分,所述電化學加工組件(30)還包括:
總線(39),其電氣地連接到所述電源(32)和各所述彎曲中空電極(10),以供應所述脈沖電壓到所述彎曲中空電極,其中,所述總線(39)至少部分地布置在所述貯存器(38)中。
6.根據權利要求3所述的電化學加工組件(30),其特征在于,所述電化學加工組件(30)包括多個彎曲中空電極(10),所述貯存器(38)限定多個開口(31),各所述彎曲中空電極延伸通過所述開口中的相應開口,所述旋轉驅動器(34)操作地連接到所述貯存器以沿著所述工件(20)內的多個彎曲路徑中的相應彎曲路徑移動各所述彎曲中空電極,
其中,所述開口(31)中的至少一個布置在所述貯存器(38)的第一側面(41),以便所述彎曲中空電極(10)中的相應彎曲中空電極從所述貯存器的第一側面延伸,所述開口(31)中的至少一個布置在所述貯存器的第二側面(43),以便所述彎曲中空電極中的相應彎曲中空電極從所述貯存器的第二側面延伸,從所述貯存器的第一側面延伸的所述電極構造成在所述工件(20)中加工彎曲孔(22)的第一部分,從所述貯存器的第二側面延伸的所述電極構造成在所述工件中加工所述彎曲孔的第二部分,所述電化學加工組件(30)還包括:
多個導向件(42),其中,所述導向件中的至少一個構造成將從所述貯存器(38)的第一側面(41)延伸的所述至少一個彎曲中空電極(10)引導到所述工件(20)上的第一初始加工點(45),并且所述導向件中的至少一個構造成將從所述貯存器的第二側面(43)延伸的所述至少一個彎曲中空電極引導到所述工件上的第二初始加工點(47)。
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