[發(fā)明專利]通過再熔化顆粒制造由硅構(gòu)成的單晶體的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010294171.1
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號(hào): CN102051671A
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: W·馮阿蒙;L·阿爾特曼紹夫爾;A·穆茲尼克斯
• 申請（專利權(quán)）人: 硅電子股份公司
• 主分類號(hào): C30B13/00
• 分類號(hào): C30B13/00;C30B29/06
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡洪貴

1.一種用于通過再熔化顆粒制造由硅構(gòu)成的單晶體的裝置，包括：

由硅構(gòu)成的轉(zhuǎn)動(dòng)板，所述轉(zhuǎn)動(dòng)板具有中心開口和由硅構(gòu)成的管狀延伸部，所述管狀延伸部環(huán)繞所述開口，且延伸到所述板的下方；

第一感應(yīng)加熱線圈，所述第一感應(yīng)加熱線圈設(shè)置在所述板的上方，以用于熔化顆粒；以及

第二感應(yīng)加熱線圈，所述第二感應(yīng)加熱線圈設(shè)置在所述板的下方，以用于使熔化的顆粒結(jié)晶，其中，第二感應(yīng)加熱線圈在其與由硅構(gòu)成的所述板相對的一側(cè)上具有由可透過磁場的材料構(gòu)成的下層、和上層，在所述上層中，具有用于傳導(dǎo)冷卻劑的至少一個(gè)冷卻通道。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述下層由鐵磁性塑料構(gòu)成。

3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述上層由金屬材料制成。

4.如權(quán)利要求1-3中任一所述的裝置，其特征在于，第二感應(yīng)加熱線圈和所述上層由銀或銅構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1-4中任一所述的裝置，其特征在于，第二感應(yīng)加熱線圈具有用于傳導(dǎo)冷卻劑的至少一個(gè)冷卻通道。

6.如權(quán)利要求1-5中任一所述的裝置，其特征在于，所述上層在其邊緣處具有缺口，所述邊緣位于第二感應(yīng)加熱線圈中的內(nèi)孔的區(qū)域處且在與第二感應(yīng)加熱線圈的供電線相反的一側(cè)，且第二感應(yīng)加熱線圈具有用于通過氣體冷卻所述板的管狀延伸部和鄰近區(qū)域的至少一個(gè)噴嘴。

7.如權(quán)利要求1-6中任一所述的裝置，其特征在于，所述上層在與所述板相對的一側(cè)被暗黑化。