[發明專利]集成半導體電感器及其方法

有效

• 申請號: 201010294092.0
• 申請日: 2006-01-12
• 公開（公告）號: CN101977027A
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 里安·J·赫爾利
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H03H7/01
• 分類號: H03H7/01;H01L27/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 屠長存

1.一種集成半導體濾波器，包括：

覆蓋半導體襯底的表面的第一部分的第一多層電感器，該第一多層電感器包括覆蓋半導體襯底在第一方向上延伸的第一電感器元件和覆蓋第一電感器元件在不同的方向上延伸的第二電感器元件，以形成第一和第二電感器元件之間的磁耦合，其中第一電感器元件電連接到第二電感器元件，并且其中第二電感器元件具有公共連接端子；

與第一電感器串聯耦合的第一電容器；以及

覆蓋半導體襯底的表面的第二部分的并且公共耦合到第一多層電感器的第二多層電感器，該第二多層電感器具有覆蓋半導體襯底的第二部分并且放置在第一電感器元件附近的第三電感器元件、覆蓋第三電感器元件的至少一部分以在第三電感器元件和第四電感器元件之間形成磁耦合的第四電感器元件以及設置在第三電感器元件與第四電感器元件之間的第一電介質，其中第四電感器元件電連接到第三電感器元件，并且其中第四電感器元件的公共連接端子與第二電感器元件的公共連接端子公共耦合。

2.根據權利要求1的集成半導體濾波器，進一步包括以旁路結構形式與第一電感器耦合的第二電容器。

3.根據權利要求1的集成半導體濾波器，進一步包括暫態電壓抑制器件，該暫態電壓抑制器件與第一多層電感器和第二多層電感器并聯耦合以便形成與其并聯的電容器。