[發明專利]具有透明增光鍵合層的四元發光二極管及其制作工藝

無效

• 申請號: 201010294028.2
• 申請日: 2010-09-28
• 公開（公告）號: CN101944566A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 尹靈峰;林素慧;歐毅德;蔡家豪;林瀟雄;鄭建森
• 申請（專利權）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/58
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.具有透明增光鍵合層的四元發光二極管，其含有第一型磊晶層、發光層、第二型磊晶層及磷化鎵窗口層；其特征在于：一摻有顆粒狀透明物質的鍵合層，形成于磷化鎵窗口層上；一永久基板與所述鍵合層連接；一金屬反射層形成于第一型磊晶層表面；第一電極設置于金屬反射層表面；第二電極設置于裸露的磷化鎵窗口層表面。

2.根據權利1所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管，其特征在于：所述透明顆粒的粒徑大小為0.02um~2um。

3.具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其步驟如下：

1）在臨時基板上形成由第一型磊晶層、發光層、第二型磊晶層及窗口層構成的晶片；

2）采用鍵合技術，通過摻有顆粒狀透明物質的鍵合層將晶片與永久基板鍵合；

3）去除臨時基板，并將晶片倒置；

4）采用濕法或干法蝕刻法，蝕刻部分第一型磊晶層區域至窗口層；?

5）在第一型磊晶層上形成金屬反射層；

6）制作P、N電極并將晶片切割。

4.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：所述臨時基板選自Si片、砷化鎵或磷化鎵基板。

5.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：所述永久基板選用藍寶石、磷化鎵或玻璃透明基板。

6.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：鍵合層選自有機黏合膠、環氧樹脂、BCB透明鍵合材料。

7.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：透明顆粒選自SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或聚苯乙烯材料。

8.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：所述透明顆粒的粒徑大小為0.02um~2um。

9.根據權利3所述的具有透明增光鍵合層的四元發光二極管的制作工藝，其特征在于：金屬反射層材料選自Au、Ag、Al、Pt或Zn。