[發明專利]溫度補償薄膜體波諧振器及加工方法有效
| 申請號: | 201010293846.0 | 申請日: | 2010-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN101958696A | 公開(公告)日: | 2011-01-26 |
| 發明(設計)人: | 龐慰;張浩 | 申請(專利權)人: | 張浩 |
| 主分類號: | H03H9/17 | 分類號: | H03H9/17;H03H3/02 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人: | 杜文茹 |
| 地址: | 519015 廣東省珠海市吉*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 補償 薄膜 諧振器 加工 方法 | ||
1.一種溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,包括如下結構:
(a)基底;
(b)位于基底上的聲反射鏡;
(c)位于聲反射鏡上的底電極;
(d)位于底電極上的壓電層;
(e)位于壓電層上的復合結構,所述的復合結構包括:
(i)壓電層上的第一電極;
(ii)第一電極上的溫度補償層;
(iii)溫度補償層上的第二電極,它與第一電極導電連接。
2.根據權利要求1所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層的頻率溫度系數與壓電層的頻率溫度系數相反。
3.根據權利要求1所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層的材料為碲氧化物、氧化硅或是它們的組合物。
4.根據權利要求1所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層上有一個或多個的導通孔或溝道,從而使第一電極通過所述的一個或多個的導通孔或溝道與第二電極進行導電連接。
5.一種權利要求1所述的溫度補償薄膜體波諧振器的加工方法,其特征在于,包括如下步驟:
(a)在基底上形成聲反射層;
(b)在聲反射層上形成底電極層;
(c)在底電極層上形成壓電層;
(d)在壓電層上形成第一電極;
(e)在第一電極上形成溫度補償層;
(f)在溫度補償層上形成一個或多個導通孔或溝道;
(g)將導電材料沉積在溫度補償層上并經光刻形成圖樣,從而使所述的導電材料填充一個或多個的導通孔或溝道內,填充于一個或多個的導通孔或溝道內的導電材料與第一電極相連;
(h)平坦化處理沉積在溫度補償層上并已形成圖樣的導電材料,直到溫度補償層的上表面暴露出來;
(i)將第二電極沉積在平坦的溫度補償層上并經光刻形成圖樣,第二電極通過填充在一個或多個導通孔或溝道內的導電材料與第一電極相連。
6.根據權利要求5所述的溫度補償薄膜體波諧振器的加工方法,其特征在于,所述的溫度補償層的頻率溫度系數與壓電層的頻率溫度系數相反。
7.根據權利要求5所述的溫度補償薄膜體波諧振器的加工方法,其特征在于,所述的溫度補償層的材料為碲氧化物或氧化硅或是它們的組合。
8.一種溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,包括如下結構:
(a)基底;
(b)位于基底上的聲反射鏡;
(c)位于聲反射鏡上的復合結構,所述的復合結構包括;
(i)位于聲反射鏡上的第一電極;
(ii)位于第一電極上的溫度補償層;
(iii)位于溫度補償層上的第二電極,所述的第二電極與第一電極導電連接;
(d)位于復合結構中的第二電極上的壓電層;
(e)位于壓電層上的頂電極。
9.根據權利要求8所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層的頻率溫度系數與壓電層的頻率溫度系數相反。
10.根據權利要求8所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層的材料為碲氧化物或氧化硅或是它們的組合。
11.根據權利要求8所述的溫度補償薄膜體波諧振器,其特征在于,所述的溫度補償層上有一個或多個導通孔或溝道,從而使第一電極與第二電極通過一個或多個的導通孔或溝道相互導電連接。
12.一種權利要求8所述的溫度補償薄膜體波諧振器的加工方法,其特征在于,包括如下步驟:
(a)在基底上形成聲反射層;
(b)在聲反射層上形成復合結構,所述復合結構形成過程包括;
(i)在聲反射層上形成第一電極;
(ii)在第一電極上形成具有斜側壁的溫度補償層;
(iii)在溫度補償上形成第二電極,從而使第二電極與第一電極相連,其中,所述的復合結構的斜側壁與溫度補償層的斜側壁對齊;
(c)在復合結構中的第二電極上形成壓電層;
(d)在壓電層上形成頂電極。
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