[發明專利]二氧化硅薄膜力學特性測試用薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201010293704.4
• 申請日: 2010-09-27
• 公開（公告）號: CN101962167A
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 李以貴;白萬青;鄧勇;陳少軍;孫健
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B3/00
• 代理公司: 上海交達專利事務所 31201
• 代理人: 王錫麟;王桂忠

1.一種SiO₂薄膜力學特性測試用薄膜的制備方法，其特征在于，通過在硅片上依次熱氧化生長一層二氧化硅薄膜并涂布一層光刻膠，然后將掩模板置于光刻膠正上方進行曝光并顯影后將掩模板的圖案轉移到基片上，再采用電感耦合等離子刻蝕法進行刻蝕得到方腔結構，最后采用濕法刻蝕方腔結構得到硅支柱結構支撐下的二氧化硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的硅片厚為5μm。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的熱氧化生長是指：采用氧化爐對硅片進行熱氧化，氧化爐的溫度為1100攝氏度，氧化時間為3分鐘，生成的二氧化硅薄膜厚度為400nm。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的光刻膠為聚甲基丙烯酸甲酯，厚度為1μm。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的曝光是指采用電流為10pA的電子束曝光30秒。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的電感耦合等離子刻蝕法是指：采用刻蝕氣體SF₆和保護氣體CF₄并設置氣體流量為13cm³/min，刻蝕速率為0.5μm/min，刻蝕時間為20秒，刻蝕后得到帶有0.5μm厚的硅殘留底座的方腔結構。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是，所述的濕法刻蝕是指：采用KOH刻蝕液對硅襯底進行濕法各向異性刻蝕，KOH刻蝕的條件為80攝氏度，KOH溶液濃度為40％wt，刻蝕時間為7分鐘。

8.一種根據上述任一權利要求所述方法制備得到的SiO₂薄膜力學特性測試用薄膜，其特征在于，其厚度為400nm。