[發明專利]硅晶片的制造方法無效
| 申請號: | 201010293644.6 | 申請日: | 2010-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN102034698A | 公開(公告)日: | 2011-04-27 |
| 發明(設計)人: | 岡孝幸;若山隆史;園田朗 | 申請(專利權)人: | 諾利塔克股份有限公司;株式會社諾利塔克涂覆磨料 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 11247 | 代理人: | 段承恩;常殿國 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 制造 方法 | ||
1.一種硅晶片的制造方法,通過將硅錠分割成預定大小的硅塊,并對該硅塊表面進行研磨之后切斷成薄板狀來制造硅晶片,該制造方法的特征在于,
所述硅塊表面的研磨使用金剛石研磨布作為研磨工具。
2.根據權利要求1所述的硅晶片的制造方法,其特征在于,
所述金剛石研磨布形成為環形帶狀;
所述硅塊表面的研磨使用使該金剛石研磨布以卷繞于1個輪的外周面或者跨繞于至少2個以上的輪上的狀態進行旋轉的帶研磨機。
3.根據權利要求2所述的硅晶片的制造方法,其特征在于,所述輪的1個為對形成為所述環形帶狀的所述金剛石研磨布賦予預定的彈性的由橡膠材料形成的觸輪。
4.根據權利要求3所述的硅晶片的制造方法,其特征在于,在所述觸輪的外周面沿周向交替地設置有凸部和凹槽。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





