[發明專利]金屬氧化物半導體組件及其制作方法有效

申請號：	201010293536.9	申請日：	2010-09-21
公開（公告）號：	CN102194815A	公開（公告）日：	2011-09-21
發明（設計）人：	薛福隆;趙治平;周淳樸;彭永州;莊學理;宋國棟	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02;H01L27/088;G06F17/50
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006	代理人：	陳紅
地址：	中國臺灣新竹市***	國省代碼：	中國臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	金屬氧化物半導體組件及其制作方法
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【說明書】：

本申請案要求享有于2010年3月5日申請的美國臨時專利申請案編號第61/310853號的優先權，在此將此申請案的全部一并列入參考。

技術領域

本發明所揭露的系統與方法是有關于集成電路。更特別的是，所揭露的系統與方法是有關于具有大柵極寬度的集成電路組件，此集成電路的制作是利用互補式金屬氧化物半導體(CMOS)科技。

背景技術

根據國際半導體技術藍圖(International?Technology?Roadmap?forSemiconductors；ITRS)，低于40nm的技術節點具有固定間距的固定多晶硅(poly)圖案、或具有單向(uni-direction)多晶硅圖案，來制作金屬氧化物半導體(MOS)組件。對于科技節點小于40nm而言，這些固定多晶硅間距圖案使多晶硅不能具有大而連續的長度。這樣在大多晶硅寬度尺寸上的限制，會在MOS組件上的許多邏輯電路中造成問題，MOS組件上的邏輯電路需要大柵極-源極電阻，以提供大利益。

因此，需要一種MOS的改良設計。

發明內容

因此，本發明的一目的就是在提供一種金屬氧化物半導體組件及其制作方法，其可在維持一致的特性下，制作出柵極長度超過欲制作的最大許可間距圖案的MOS組件。

本發明揭露一種金屬氧化物半導體組件，此金屬氧化物半導體組件包含：具有第一與第二接觸的有源區(active?area)。第一與第二柵極位于第一與第二接觸之間。第一柵極鄰設于第一接觸，且具有第三接觸。第二柵極鄰設于第二接觸，且具有與第三接觸耦合的第四接觸。為有源區與第一柵極所定義出的晶體管具有第一臨界電壓，而為有源區與第二柵極所定義出的晶體管具有第二臨界電壓。

本發明還揭露一種金屬氧化物半導體組件的制作方法，其中提供一金屬氧化物半導體組件的初始模型。金屬氧化物半導體組件包含具有柵極接觸的柵極，此柵極接觸位于一有源區上方，且有源區包含第一與第二接觸。根據初始模型產生前述的金屬氧化物半導體組件的最終模型，如此最終模型中的金屬氧化物半導體組件的柵極包含多個手指，且每個手指具有各自的柵極接觸。每個手指分別與有源區定義出晶體管。前述的晶體管中的第一者具有第一臨界電壓，這些晶體管中的第二者具有第二臨界電壓。將金屬氧化物半導體組件的最終模型儲存在計算機可讀儲存媒介中。調整由該有源區與該些手指的一者所定義的該些晶體管的一者的一臨界電壓，以產生該金屬氧化物半導體組件的一中間模型。模擬(simulating)包含該金屬氧化物半導體組件的該中間模型的一電路。以及重復該步驟d)與該步驟e)，直至達成該金屬氧化物半導體組件的一所需響應。

本發明還揭露一種金屬氧化物半導體組件，包含：一有源區，具有一源極接觸與一漏極接觸相隔一距離；一第一柵極區，形成在該有源區上且位于該源極接觸與該漏極接觸之間，該第一柵極區與該源極接觸及該漏極接觸定義出一第一晶體管，該第一晶體管具有一第一臨界電壓；以及一第二柵極區，形成在該有源區上且位于該源極接觸與該漏極接觸之間，該第二柵極區與該源極接觸及該漏極接觸定義出一第二晶體管，該第二晶體管具有一第二臨界電壓，其中該第一柵極區與該第二柵極區包含各自的一柵極接觸，且該些柵極接觸耦合在一起而形成該金屬氧化物半導體組件的一柵極。

運用本揭露，可在維持一致的特性下，制作出柵極長度超過欲制作的最大許可間距圖案的MOS組件。

附圖說明

圖1A是繪示一種傳統MOS組件的布局；

圖1B是繪示一種包含多個手指的等效MOS組件的布局；

圖2A至圖2D是繪示一種包含多個手指的改良MOS組件的布局；

圖3是繪示一種改良的多手指的MOS組件的設計方法的一個例子的流程圖；以及

圖4是繪示一種改良的多手指的MOS組件的模擬系統的一個例子的方塊圖。

【主要組件符號說明】

100：MOS組件????????????102：柵極

104：有源區?????????????106：接觸

108：接觸???????????????110：接觸

120：MOS組件????????????122：手指