[發(fā)明專利]制造石墨烯的方法和通過該方法制造的石墨烯有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201010292705.7 | 申請(qǐng)日: | 2010-09-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102020271A | 公開(公告)日: | 2011-04-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 宋榮日;安鐘賢;李榮彬;洪秉熙 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星泰科威株式會(huì)社;成均館大學(xué)產(chǎn)學(xué)協(xié)力團(tuán) |
| 主分類號(hào): | C01B31/04 | 分類號(hào): | C01B31/04 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 郭鴻禧;羅延紅 |
| 地址: | 韓國慶尚*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制造 石墨 方法 通過 | ||
1.一種制造石墨烯的方法,所述方法包括:
制備石墨烯構(gòu)件,所述石墨烯構(gòu)件包括基體構(gòu)件、形成在所述基體構(gòu)件上的親水性氧化物層、形成在氧化物層上的疏水性金屬催化劑層和在金屬催化劑層上生長出的石墨烯;
將水施加于所述石墨烯構(gòu)件;
將金屬催化劑層與氧化物層分離;
使用蝕刻工藝去除金屬催化劑層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,所述基體構(gòu)件包括Si。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,氧化物層包括SiO2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,金屬催化劑層包括從由Ni、Cu、Al、Fe、Co和W組成的組中選擇的至少一種金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,制備石墨烯構(gòu)件的步驟還包括將轉(zhuǎn)移構(gòu)件設(shè)置到所述石墨烯上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法,其中,所述轉(zhuǎn)移構(gòu)件包括從由聚二甲基硅氧烷、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯、聚酰亞胺、玻璃、合成橡膠和天然橡膠組成的組中選擇的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,在將水施加于所述石墨烯構(gòu)件的步驟中,通過水在氧化物層和金屬催化劑層之間的滲透在氧化物層和金屬催化劑層之間產(chǎn)生間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將水施加于所述石墨烯構(gòu)件的步驟包括:通過施加超聲波對(duì)所述石墨烯構(gòu)件進(jìn)行超聲波處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將水施加于所述石墨烯構(gòu)件的步驟包括:將所述石墨烯構(gòu)件浸在水浴里的水中。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法,其中,在將所述石墨烯構(gòu)件浸在所述水浴里的水中的同時(shí),執(zhí)行將金屬催化劑層與氧化物層分離的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,將金屬催化劑層與氧化物層分離的步驟包括:對(duì)所述石墨烯構(gòu)件施加預(yù)定的力。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其中,使用從由酸、氟化氫溶液、緩沖氧化物蝕刻溶液、FeCl3溶液和Fe(NO3)3溶液組成的組中選擇的至少一種溶液來執(zhí)行所述蝕刻工藝。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,所述方法還包括:在使用所述蝕刻工藝將金屬催化劑層去除之后,將所述石墨烯轉(zhuǎn)移到基底或裝置上。
14.石墨烯,所述石墨烯根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法獲得。
15.一種導(dǎo)電薄膜,所述導(dǎo)電薄膜包含根據(jù)權(quán)利要求1的方法獲得的石墨烯。
16.一種透明電極,所述透明電極包含根據(jù)權(quán)利要求1的方法獲得的石墨烯。
17.一種輻射或加熱裝置,所述輻射或加熱裝置包含根據(jù)權(quán)利要求1的方法獲得的石墨烯。
18.一種制造石墨烯的方法,所述方法包括:
將水施加于石墨烯構(gòu)件,所述石墨烯構(gòu)件包括基體構(gòu)件、形成在所述基體構(gòu)件上的親水性氧化物層、形成在氧化物層上的疏水性金屬催化劑層和在金屬催化劑層上生長出的石墨烯;
將金屬催化劑層與氧化物層分離;
使用蝕刻工藝去除金屬催化劑層。
19.石墨烯,所述石墨烯根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法獲得。
20.一種導(dǎo)電薄膜,所述導(dǎo)電薄膜包含根據(jù)權(quán)利要求18的方法獲得的石墨烯。
21.一種透明電極,所述透明電極包含根據(jù)權(quán)利要求18的方法獲得的石墨烯。
22.一種輻射或加熱裝置,所述輻射或加熱裝置包含根據(jù)權(quán)利要求18的方法獲得的石墨烯。
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