[發明專利]發光器件、發光器件封裝、制造發光器件的方法和照明系統

無效

• 申請號: 201010292671.1
• 申請日: 2010-09-25
• 公開（公告）號: CN102104095A
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 孫孝根
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蔡勝有;王春偉

1.一種發光器件，包括：

第一導電半導體層；

與所述第一導電半導體層相鄰的有源層，所述有源層包括：第一量子阱層、第二量子阱層以及在所述第一量子阱層和所述第二量子阱層之間的勢壘層；和

與所述有源層相鄰的第二導電半導體層，

其中所述第一量子阱層包括第一多個子勢壘層和第一多個子量子阱層，所述第二量子阱層包括第二多個子勢壘層和第二多個子量子阱層，和

其中所述第一多個子勢壘層的帶隙與所述第二多個子勢壘層的帶隙不同。

2.權利要求1所述的發光器件，其中所述第一多個子勢壘層的帶隙大于所述第二多個子勢壘層的帶隙。

3.權利要求1所述的發光器件，其中所述勢壘層的厚度為約所述第一量子阱層的厚度為約

4.權利要求1所述的發光器件，其中所述子勢壘層包含具有組成式In_x1Ga_1-x1N(0≤x1＜0.1)的材料，所述子量子阱層包含具有組成式In_x2Ga_1-x2N(0.1≤x2＜1)的材料。

5.權利要求1所述的發光器件，其中所述子勢壘層的厚度為約所述子量子阱層的厚度為約

6.權利要求1所述的發光器件，其中所述有源層包含具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的材料。

7.權利要求1所述的發光器件，還包括：襯底、與所述第一導電半導體層相鄰的第一電極、以及與所述第二導電半導體層相鄰的第二電極，其中所述第一導電半導體層與所述襯底相鄰。

8.權利要求1所述的發光器件，其中所述第一量子阱層的子勢壘層中包含的銦量與所述第二量子阱層的子勢壘層中包含的銦量不同。

9.權利要求1所述的發光器件，其中所述子量子阱層包括其中銦量增加的第一區域和其中銦量減少的第二區域。

10.權利要求1所述的發光器件，其中所述第一多個子勢壘層分成從第一子勢壘層開始依次堆疊的第一至第n個子勢壘層，所述多個子量子阱層分成從第一子量子阱層開始依次堆疊的第一至第n個子量子阱層，其中所述子量子阱層的帶隙低于所述子勢壘層的帶隙。

11.權利要求10所述的發光器件，其中所述子量子阱層具有其中注入到所述子量子阱層中的銦(In)量基于所述子量子阱層的堆疊次序增加的區域。

12.一種發光器件封裝，包括：

權利要求1所述的發光器件，

主體；和

在所述主體上的第一電極層和第二電極層，

其中所述發光器件與所述主體上的所述第一電極層和所述第二電極層電連接。

13.權利要求12所述的發光器件封裝，還包括：包圍所述發光器件的模制構件。

14.一種照明系統，包括：

包括襯底和權利要求1所述的發光器件的發光模塊，其中所述發光器件設置在所述襯底上。

15.一種發光器件，包括：

第一導電半導體層；

與所述第一導電半導體層相鄰以發光的有源層，所述有源層包括：第一量子阱層、第二量子阱層和勢壘層；和

與所述有源層相鄰的第二導電半導體層，

其中所述勢壘層包括第一多個子勢壘層和第一多個子量子阱層。

16.權利要求15所述的發光器件，其中所述第一量子阱層包括第二多個子勢壘層和第二多個子量子阱層。

17.權利要求16所述的所述發光器件，其中所述第一多個子勢壘層和所述第一多個子量子阱層的帶隙大于所述第二多個子勢壘層和所述第二多個子量子阱層的帶隙。

18.權利要求15所述的發光器件，其中所述第一多個子勢壘層分成從第一子勢壘層開始依次堆疊的第一至第n個子勢壘層，所述多個子量子阱層分成從第一子量子阱層開始依次堆疊的第一至第n個子量子阱層，其中所述子量子阱層的帶隙低于所述子勢壘層的帶隙。