[發明專利]圖像感測設備和成像系統

有效

• 申請號: 201010291848.6
• 申請日: 2008-09-12
• 公開（公告）號: CN101945204A
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 小倉正德;小泉徹;領木達也;菊地伸
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: H04N3/15
• 分類號: H04N3/15;H04N5/335;H04N5/225
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 羅銀燕

1.一種圖像感測設備，包括：

像素，其包括光電轉換單元；

列信號線，其連接到所述像素；

讀出電路，其經由所述列信號線從所述像素讀出信號；

輸出線，其連接到所述讀出電路，并且具有電容；以及

輸出單元，其根據來自所述讀出電路的信號，經由所述輸出線輸出圖像信號，

其中，所述讀出電路包括：

第一聚積單元，其保持讀出到所述列信號線的信號，

第一斷開/閉合單元，其斷開/閉合所述列信號線與所述第一聚積單元之間的連接，

第二聚積單元，

傳送單元，其將由所述第一聚積單元所保持的信號傳送到所述第二聚積單元，以及

第二斷開/閉合單元，其斷開/閉合所述傳送單元與所述第二聚積單元之間的連接，

所述第一聚積單元的電容小于所述第二聚積單元的電容，并且

由所述第二聚積單元所保持的信號被基于所述第二聚積單元的電容以及所述輸出線的電容而讀出到所述輸出單元。

2.如權利要求1所述的設備，其中，

所述讀出電路進一步包括：第三斷開/閉合單元，其斷開/閉合所述第二聚積單元與所述輸出線之間的連接，

所述第三斷開/閉合單元將所述第二聚積單元與所述輸出線之間的連接設置在閉合狀態，以將所述第二聚積單元連接到所述輸出線，并且讀出由所述第二聚積單元所保持的信號。

3.如權利要求1所述的設備，其中，

所述傳送單元將與由所述第一聚積單元所保持的電荷對應的信號供給到所述第二聚積單元。

4.如權利要求3所述的設備，其中，

所述傳送單元包括MOS晶體管，并且

所述MOS晶體管經由柵極接收由所述第一聚積單元所保持的信號，并且經由源極將與輸入到所述柵極的信號對應的信號輸出到所述第二聚積單元。

5.如權利要求1所述的設備，其中，

所述讀出電路進一步包括：復位單元，其對所述第二聚積單元的電位進行復位。

6.如權利要求5所述的設備，其中，

所述傳送單元包括NMOS晶體管，

設V1是所述第一聚積單元的電位，Vthn是所述NMOS晶體管的閾值電壓，并且V2是所述第二聚積單元的電位，所述復位單元對從所述傳送單元斷開電連接的所述第二聚積單元的電位V2進行復位，以滿足：

V2≤V1-Vthn，并且

當電連接到所述第二聚積單元時，所述NMOS晶體管將所述第二聚積單元的電位從由所述復位單元所復位的電位升高到與由所述第一聚積單元所保持的信號對應的電位。

7.如權利要求5所述的設備，其中，

所述傳送單元包括PMOS晶體管，

設V1是所述第一聚積單元的電位，Vthp是所述PMOS晶體管的閾值電壓，并且V2是所述第二聚積單元的電位，所述復位單元對從所述傳送單元斷開電連接的所述第二聚積單元的電位V2進行復位，以滿足：

V2≥V1-Vthp，并且

當電連接到所述第二聚積單元時，所述PMOS晶體管將所述第二聚積單元的電位從由所述復位單元所復位的電位降低到與由所述第一聚積單元所保持的信號對應的電位。

8.如權利要求1所述的設備，其中，

所述第一聚積單元包括：

第一噪聲信號聚積單元，其保持輸出到所述列信號線的噪聲信號，以及

第一光學信號聚積單元，其保持輸出到所述列信號線的光學信號，

所述第二聚積單元包括：

第二噪聲信號聚積單元，由所述第一噪聲信號聚積單元所保持的信號被傳送至其，以及

第二光學信號聚積單元，由所述第一光學信號聚積單元所保持的信號被傳送至其，

所述傳送單元具有：輸入端子，其連接到所述第一噪聲信號聚積單元和所述第一光學信號聚積單元；以及輸出端子，其連接到所述第二噪聲信號聚積單元和所述第二光學信號聚積單元，并且

所述輸出單元通過計算由所述第二噪聲信號聚積單元所保持的信號與由所述第二光學信號聚積單元所保持的信號之間的差值而輸出所述圖像信號。