[發明專利]介質壁加速器加速單元

無效

• 申請號: 201010291481.8
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN102014569A
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發明（設計）人: 羅安雄
• 申請（專利權）人: 四川省科學城久遠磁性材料有限責任公司
• 主分類號: H05H7/22
• 分類號: H05H7/22;H05H9/00
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 卿誠;吳彥峰

1.一種介質壁加速器加速單元，包括密封筒體(6)，筒體(6)中間的加速管道(1)，加速管道(1)中間形成貫通的加速通道(7)，及安裝在筒體(6)內、位于加速管道(1)外側的加速脈沖形成裝置以及吸收、阻止電磁干擾裝置，其中粒子加速通道(7)為真空通道，加速管道(1)與筒體(6)之間的空間注入耐高壓絕緣介質，其特征在于加速管道(1)為絕緣介質束管道，加速脈沖形成裝置包括至少兩塊介質絕緣平板(4)，每塊介質絕緣平板(4)上鍍有金屬電極(13)，中間兩介質絕緣平板(4)之間設有高壓輸入端(3)，高壓輸入端(3)與其中一介質絕緣平板(4)的金屬電極(13)之間接有半導體光導開關(2)。

2.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于介質絕緣平板(4)為微波介質陶瓷板。

3.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于介質絕緣平板(4)為疊加的四塊介質絕緣平板(4)構成，每塊介質絕緣平板(4)上均鍍有金屬電極(13)，高壓輸入端(3)設在中間兩塊介質絕緣平板(4)之間，半導體光導開關(2)連接在高壓輸入端(3)與其中一塊介質絕緣平板(4)的金屬電極(13)之間，四塊介質絕緣平板(4)中外層兩塊介質絕緣平板(4)的特征阻抗為中間兩塊介質絕緣平板(4)特征阻抗的一半。

4.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于安置在絕緣介質束管道(1)外側的介質絕緣平板(4)相對于被加速粒子為兩組對稱安置。

5.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于吸收、阻止電磁干擾裝置為固定在筒體(6)側壁的絕緣層(12)和絕緣層(12)內側的吸波體(5)。

6.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于吸波體(5)為鐵氧體。

7.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于在筒體(6)上設有抽氣孔(8)，抽氣孔(8)通向加速通道(7)，筒體(6)設有注氣孔(10)，注氣孔(10)通向介質束管道(1)與筒體(6)之間形成的空間。

8.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于在筒體(6)上設有光纖入口(14)，光纖入口(14)的光纖通到半導體光導開關(2)的激發端。

9.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于在筒體(6)上設有測量孔(9)，測量孔(9)內設置有加速電壓脈沖、束流大小和束心位置探測設備，其位于吸波體(5)內側，筒體(6)設有觀察孔(11)，觀察孔(11)外設置光電觀察設備。

10.根據權利要求1所述的介質壁加速器加速單元，其特征在于半導體光導開關(2)為SiC半導體光導開關。