[發明專利]單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法無效
| 申請號： | 201010291242.2 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN101948137A | 公開（公告）日： | 2011-01-19 |
| 發明（設計）人： | 汪信;陳勝;朱俊武;劉孝恒;楊緒杰;陸路德;韓巧鳳 | 申請（專利權）人： | 南京理工大學 |
| 主分類號： | C01G45/02 | 分類號： | C01G45/02 |
| 代理公司： | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人： | 唐代盛 |
| 地址： | 210094 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 單壁碳 納米 模板 制備 二氧化錳 方法 | ||
1.一種單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于包括以下步驟：
步驟1：將單壁碳納米管分散于N-甲基吡咯烷酮中，然后進行超聲處理；
步驟2：將步驟1中超聲處理后所得混合物進行離心，棄底部殘留固體，取其上層的混合液，即單壁碳納米管分散于N-甲基吡咯烷酮中形成的懸浮液；
步驟3：將KMnO4溶解于水中，形成KMnO4水溶液；
步驟4：將步驟3中制得的KMnO4水溶液加入步驟2中制得的混合液中，攪拌反應，單壁碳納米管與KMnO4反應，反應方程式為：4KMnO4+3C+H2O→4MnO2+K2CO3+2KHCO3，得到新的混合液；
步驟5：將步驟4中制得的混合液進行離心、洗滌、干燥、研磨，即得二氧化錳納米線材料。
2.根據權利要求1所述的單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于：單壁碳納米管在N-甲基吡咯烷酮中濃度為0.01～0.4mg/mL。
3.根據權利要求1所述的單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于：KMnO4在水中濃度為10～80mg/mL。
4.根據權利要求1所述的單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于：KMnO4與單壁碳納米管的質量比例為2～50。
5.根據權利要求1所述的單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于：步驟四中反應溫度為5～80℃。
6.根據權利要求1所述的單壁碳納米管為模板制備二氧化錳納米線的方法，其特征在于：步驟四中反應時間為1～72h。
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