[發(fā)明專利]磁體組件及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010289866.0 | 申請日: | 2010-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN102403081A | 公開(公告)日: | 2012-04-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 武安波;趙燕;楊潮;伊萬格拉斯·T·拉斯卡里斯;黃先銳 | 申請(專利權)人: | 通用電氣公司 |
| 主分類號: | H01F6/00 | 分類號: | H01F6/00;H01F6/06;H01F41/02;G01R33/3815 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁體 組件 及其 制造 方法 | ||
1.一種超導磁體組件,包括:
超導磁體,其用來產生靜磁場;
鐵軛,其用來屏蔽所述超導磁體;
磁性梯度線圈組件,其用來產生梯度磁場;及
一個或多個磁性層狀元件,其設置于所述鐵軛上用來減少所述梯度磁場在所述鐵軛上感應的電窩流。
2.如權利要求1所述的超導磁體組件,其中所述超導磁體組件可用于核磁共振成像系統(tǒng),所述超導磁體包括一個或多個超導線圈。
3.如權利要求1所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件中的每一個均包括兩層或兩層以上的一種或多種磁性材料。
4.如權利要求3所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件中的至少一個沿著平行于該至少一個磁性層狀元件的層壓方向的方向設置在所述鐵軛上。
5.如權利要求3所述的超導磁體組件,其中所述一種或多種磁性材料包括硅鋼、非晶態(tài)磁性材料及其組合。
6.如權利要求1所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件以一層或一層以上的形式設置于所述鐵軛的內表面上,所述一層或一層以上中的至少一層包括一個以上的磁性層狀元件,一個或多個非磁性間隙形成于所述至少一層上的相鄰的磁性層狀元件間。
7.如權利要求6所述的超導磁體組件,其中所述至少一層上的一個以上的磁性層狀元件沿著所述超導磁體產生的所述靜磁場的方向設置于所述鐵軛上,所述一個或多個非磁性間隙沿著所述靜磁場的方向設置。
8.如權利要求7所述的超導磁體組件,其進一步包括設置在相應的一個或多個非磁性間隙內的玻璃纖維增強塑料。
9.如權利要求6所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件以兩層或兩層以上的形式設置于所述鐵軛的內表面上,在高一層的至少一個磁性層狀元件覆蓋低一層上形成的一個或多個非磁性間隙中的至少一個。
10.如權利要求9所述的超導磁體組件,其進一步包括一層或一層以上的玻璃纖維,其分別設置于相鄰的磁性層狀元件層間。
11.如權利要求1所述的超導磁體組件,其中所述鐵軛具有圓柱形結構且包括主體和一對設置于主體兩端的端部,所述一個或多個磁性層狀元件設置于所述主體和一對端部中的至少一個上。
12.一種超導磁體組件,包括:
超導磁體,其用來產生靜磁場;
鐵軛,其用來屏蔽所述超導磁體;
磁性梯度線圈組件,其用來產生梯度磁場;
多個磁性層狀元件,其設置于所述鐵軛上;及
一個或多個非磁性間隙沿著所述超導磁體所產生的靜磁場的方向形成于相鄰的所述磁性層狀元件間。
13.如權利要求12所述的超導磁體組件,其中所述多個磁性層狀元件中的至少一個沿著平行于該至少一個磁性層狀元件的層壓方向的方向設置在所述鐵軛上。
14.如權利要求12所述的超導磁體組件,其中所述多個磁性層狀元件以兩層或兩層以上的形式設置于所述鐵軛的內表面上,在高一層的至少一個磁性層狀元件覆蓋低一層上形成的所述一個或多個非磁性間隙中的至少一個。
15.一種方法,包括:
設置超導磁體來產生靜態(tài)磁場;
設置鐵軛來屏蔽所述超導磁體;
設置磁性梯度線圈組件來產生梯度磁場;及
設置一個或多個磁性層狀元件于所述鐵軛上來減少所述梯度磁場在所述鐵軛上感應的電窩流。
16.如權利要求15所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件中的至少一個沿著平行于該至少一個磁性層狀元件的層壓方向的方向設置在所述鐵軛上。
17.如權利要求15所述的超導磁體組件,其中所述一個或多個磁性層狀元件以一層或一層以上的形式設置于所述鐵軛的內表面上,所述一層或一層以上中的至少一層包括一個以上的磁性層狀元件,一個或多個非磁性間隙形成于所述至少一層上的相鄰的磁性層狀元件間。
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