[發(fā)明專利]太陽能晶片及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201010289632.6
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN102412335A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳炯
• 申請（專利權(quán)）人: 上海凱世通半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0352
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 薛琦;朱水平

1.一種太陽能晶片的制備方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S₁、在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層；

S₂、加速離子轟擊N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域，并濺射出該N型摻雜層上未被掩模板覆蓋的區(qū)域的N型原子；

S₃、在該N型摻雜層上形成一涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜；

S₄、在與N型摻雜層上未被離子轟擊的區(qū)域?qū)?yīng)的涂層上鍍壓金屬電極；

S₅、將該P型基底的晶片在700-950℃的溫度下燒結(jié)，并在燒結(jié)的同時退火，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

2.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₁中通過離子注入/退火或者擴散生長的方式在P型基底的晶片的表面形成N型摻雜層，此時該N型摻雜層的方塊電阻為20-50Ω/m²。

3.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₂中所述離子被加速至500eV-50keV，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。

4.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₂中離子的轟擊深度不小于N型摻雜層的深度。

5.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₂中所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150Ω/m²。

6.如權(quán)利要求1所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₃中通過PECVD的方式形成涂層，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx、SiNx或Al₂O₃薄膜。

7.如權(quán)利要求1-6任意一項所述的太陽能晶片的制備方法，其特征在于，步驟S₄中通過印刷電路的方式鍍壓金屬電極。

8.一種使用如權(quán)利要求1所述的制備方法制作的太陽能晶片，其特征在于，其包括：

一P型基底；

一位于該P型基底上的N型摻雜層；

一位于該N型摻雜層上的涂層，該涂層包括鈍化層和增透膜；

位于該涂層上的金屬電極，

其中，該N型摻雜層包括被該金屬電極覆蓋的部分和未被該金屬電極覆蓋的部分，所述被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為未被離子轟擊的N型摻雜層，所述未被該金屬電極覆蓋的部分的N型摻雜層為被離子轟擊的N型摻雜層，

其中，該金屬電極與所述未被離子轟擊的N型摻雜層共晶復(fù)合，

其中，所述的P型替換為N型時，N型同時替換為P型。

9.如權(quán)利要求8所述的太陽能晶片，其特征在于，所述未被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為20-50Ω/m²，所述被離子轟擊的N型摻雜層的方塊電阻為60-150Ω/m²。

10.如權(quán)利要求8所述的太陽能晶片，其特征在于，所述離子為氫離子、氮離子、氧離子、碳離子或惰性氣體離子。

11.如權(quán)利要求8-10任意一項所述的太陽能晶片，其特征在于，其中，該涂層的厚度為60-150nm，該涂層的鈍化層為SiOx、SiCx、SiNx或Al₂O₃薄膜。