[發明專利]化學放大型正性光致抗蝕劑組合物及圖案的形成方法有效
| 申請號： | 201010289418.0 | 申請日： | 2010-06-12 |
| 公開（公告）號： | CN101923288A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發明（設計）人： | 增永惠一;田中啟順;土門大將;渡邊聰;大澤洋一;大橋正樹 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/039 | 分類號： | G03F7/039;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 任宗華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 大型 正性光致抗蝕劑 組合 圖案 形成 方法 | ||
1.一種包括聚合物的化學放大型正性光致抗蝕劑組合物，該聚合物包含具有通式(1)到(3)或(1)到(4)的重復單元：
其中，R1是氫、氟、甲基或三氟甲基，R2是氫、取代或非取代、直鏈、支鏈或環狀C1-C10烷基或取代或非取代、直鏈、支鏈或環狀C1-C10烷氧基，R3每個獨立地為C1-C10烷基，A是單鍵或二價的可被醚鍵間隔的C1-C10有機基團，B是苯環或包含最多3個芳環的稠合多環芳基，s每個獨立地為0或1，u為0或1，a每個獨立地為0到3的整數，b和c每個獨立地為1到3的整數，當c為1時，X為酸性不穩定基團，當c為2或3時，X為氫或酸性不穩定基團，至少一個X為酸性不穩定基團，且Q具有通式(5)或(6)：
其中R6每個獨立地為氫、羥基、C1-C7烷羰氧基或C1-C6烷基、烷氧基、鹵代烷基或鹵代烷氧基，且d為從0到4的整數，所述式(1)的單元占整個聚合物單元的至多10mol％。
2.根據權利要求1所述光致抗蝕劑組合物，其中在所述式(1)中，以下式表示的結構：
選自具有下式的結構：
其中R1如上述所定義的。
3.根據權利要求1所述光致抗蝕劑組合物，其中所述式(2)的單元選自下式：
4.根據權利要求1所述光致抗蝕劑組合物，其中所述式(2)的單元是衍生自選自3-羥基苯乙烯、4-羥基苯乙烯、5-羥基-2-乙烯基萘、6-羥基-2-乙烯基萘和7-羥基-2-乙烯基萘的單體的單元。
5.根據權利要求1所述光致抗蝕劑組合物，其中所述酸性不穩定基團為C4-C18叔烷基或下述式(7)的縮醛基：
其中R7為氫或直鏈、支鏈或環狀C1-C10烷基，且Y為直鏈、支鏈、環狀或多環C1-C30烷基。
6.一種抗蝕圖案的形成方法，包括將權利要求1所述的化學放大光致抗蝕劑組合物施涂于可加工基材上形成抗蝕薄膜，用高能輻射圖案使所述抗蝕薄膜曝光，并且將所述曝光的抗蝕薄膜用堿性顯影劑顯影形成抗蝕圖案。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述高能輻射是EUV或電子束。
8.根據權利要求6所述的方法，其中所述可加工基材包括含鉻材料的最外表面層。
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