[發明專利]一種接收信號強度檢測電路

有效

• 申請號: 201010289324.3
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN101969351A
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 吳建輝;徐震;陳超;竺磊;徐毅
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H04B17/00
• 分類號: H04B17/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種接收信號強度檢測電路，其特征在于：所述接收信號強度檢測電路包括非平衡源級交叉耦合對電路、局部正反饋負載電路和輸出端鉗位電路：

所述非平衡源級交叉耦合對電路包括第一PMOS晶體管(M1)、第二PMOS晶體管(M2)、第三PMOS晶體管(M3)、第四PMOS晶體管(M4)、第五PMOS晶體管(M5)、第六PMOS晶體管(M6)、第七PMOS晶體管(M7)；

所述局部正反饋負載電路包括第八NMOS晶體管(M8)、第九NMOS晶體管(M9)、第十NMOS晶體管(M10)、第十一NMOS晶體管(M11)、第十二NMOS晶體管(M12)、第十三NMOS晶體管(M13)、第十四NMOS晶體管(M14)、第十五NMOS晶體管(M15)、第十六NMOS晶體管(M16)、第十七NMOS晶體管(M17)、第十八NMOS晶體管(M18)、第十九NMOS晶體管(M19)、第二十PMOS晶體管(M20)、第二十一PMOS晶體管(M21)、第二十二NMOS晶體管(M22)、第二十三NMOS晶體管(M23)；

所述輸出端鉗位電路包括負載電阻(R1)、第二十四PMOS晶體管(M24)、運算放大器(OP)和實現對非平衡源級交叉耦合對電路以及局部正反饋負載電路的復制的輸出偏置電位提供電路Replica；

在非平衡源級交叉耦合對電路中，第一PMOS晶體管(M1)和第二PMOS晶體管(M2)的柵極接射頻輸入信號的正級，第三PMOS晶體管(M3)和第四PMOS晶體管(M4)的柵極接射頻輸入信號的負級；第一PMOS晶體管(M1)和第二PMOS晶體管(M2)的源級接第五PMOS晶體管(M5)的漏極，第三PMOS晶體管(M3)和第四PMOS晶體管(M4)的源級接第六PMOS晶體管(M6)的漏極；第五PMOS晶體管(M5)、第六PMOS晶體管(M6)、第七PMOS晶體管(M7)組成電流鏡結構，構成提供偏置電流的偏置電路；

在局部正反饋負載電路中，第八NMOS晶體管(M8)和第九NMOS晶體管(M9)的柵極接第九NMOS晶體管(M9)的漏極，第八NMOS晶體管(M8)的漏極接第二十一NMOS晶體管(M21)的漏極，第九NMOS晶體管(M9)和第十NMOS晶體管(M10)的漏極接第一PMOS晶體管(M1)的漏極，第十NMOS晶體管(M10)的柵極接第十二NMOS晶體管(M12)的漏極，第十一NMOS晶體管(M11)的柵極接第十NMOS晶體管(M10)的漏極，第十二NMOS晶體管(M12)和第十三NMOS晶體管(M13)的柵極都接第十二NMOS晶體管(M12)漏極，第十三NMOS晶體管(M13)的漏極接第二十一NMOS晶體管(M21)的漏極，第十二NMOS晶體管(M12)的漏極接第三PMOS晶體管(M3)的漏極；

第十四NMOS晶體管(M14)和第十五NMOS晶體管(M15)的柵極接第十五NMOS晶體管(M15)漏極，第十四NMOS晶體管(M14)的漏極接第二十NMOS晶體管(M20)的漏極，第十五NMOS晶體管(M15)和第十六NMOS晶體管(M16)的漏極接第二PMOS晶體管(M2)的漏極，第十六NMOS晶體管(M16)的柵極接第十八NMOS晶體管(M18)的漏極，第十七NMOS晶體管(M17)的柵極接第十五NMOS晶體管(M15)的漏極，第十八NMOS晶體管(M18)和第十九NMOS晶體管(M19)的柵極都接第十八NMOS晶體管(M18)漏極，第十九NMOS晶體管(M19)的漏極接第二十NMOS晶體管(M20)的漏極，第十八NMOS晶體管(M12)的漏極接第四PMOS晶體管(M4)的漏極；

第八NMOS晶體管(M8)、第九NMOS晶體管(M9)、第十NMOS晶體管(M10)、第十一NMOS晶體管(M11)、第十二NMOS晶體管(M12)、第十三NMOS晶體管(M13)、第十四NMOS晶體管(M14)、第十五NMOS晶體管(M15)、第十六NMOS晶體管(M16)第十七NMOS晶體管(M17)和第十八NMOS晶體管(M18)的源極接地；

第二十PMOS晶體管(M20)和第二十一PMOS晶體管(M21)的柵極都接到第二十PMOS晶體管(M20)的漏極，第二十PMOS晶體管(M20)和第二十一PMOS晶體管(M21)的源極接電源，第二十PMOS晶體管(M20)的漏極接第十四NMOS晶體管(M14)和第十九NMOS晶體管(M19)的漏極，第二十一PMOS晶體管(M21)的漏極接到第八NMOS晶體管(M8)、第十三NMOS晶體管(M13)和第二十二NMOS晶體管(M22)的漏極、第二十二NMOS晶體管(M22)和第二十三NMOS晶體管(M23)的柵極都接到第二十二NMOS晶體管(M22)的漏極，第二十二NMOS晶體管(M22)和第二十三NMOS晶體管(M23)的源極都接地，第二十三NMOS晶體管(M23)的漏極接負載電阻(R1)和第二十四PMOS晶體管(M24)的漏極；

在輸出端鉗位電路中，負載電阻(R1)一端接電源，另一端接第二十三NMOS晶體管(M23)和第二十四PMOS晶體管(M24)的漏極，第二十四PMOS晶體管(M24)的源極接電源，第二十四PMOS晶體管(M24)的柵極接運算放大器(OP)的輸出；運算放大器(OP)的正極接輸出偏置電位提供電路Replica的輸出端，運算放大器(OP)的負極接參考電壓。

2.根據權利要求1所述的接收信號強度檢測電路，其特征在于：所述運算放大器(OP)包括第二十五PMOS晶體管(M25)、第二十六PMOS晶體管(M26)、第二十七NMOS晶體管(M27)、第二十八NMOS晶體管(M27)、第二十九NMOS晶體管(M29)；第二十五PMOS晶體管(M25)和第二十六PMOS晶體管(M26)的源級接電源，第二十五PMOS晶體管(M25)和第二十六PMOS晶體管(M26)的柵極接第二十五PMOS晶體管(M25)的漏極，第二十五PMOS晶體管(M25)的漏極接第二十七PMOS晶體管(M27)的漏極，第二十六PMOS晶體管(M26)的漏極和第二十八NMOS晶體管(M28)的漏極接運算放大器(OP)的輸出端，第二十七NMOS晶體管(M27)和第二十八NMOS晶體管(M28)的源極接第二十九NMOS晶體管(M29)的漏極，第二十九NMOS晶體管(M29)的柵極接偏置BIAS，第二十九NMOS晶體管(M29)的源極接地。