[發明專利]多層導通孔疊層結構

有效

• 申請號: 201010289085.1
• 申請日: 2010-09-13
• 公開（公告）號: CN102404935A
• 公開（公告）日: 2012-04-04
• 發明（設計）人: 楊之光
• 申請（專利權）人: 巨擘科技股份有限公司
• 主分類號: H05K1/11
• 分類號: H05K1/11;H05K3/42;H01L23/498
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種多層導通孔疊層結構，其特征在于，包括：

一金屬層；

一第一介電層，披覆所述金屬層，且于所述金屬層上方具有一第一開口；

一第一導通孔金屬層，形成于所述第一開口及所述第一介電層上，具有一第一底部、位于所述第一介電層上的一第一上端部以及一第一斜孔壁，所述第一斜孔壁具有與所述第一上端部接合的一第一頂端及與所述第一底部接合的一第一底端，且所述第一底部具有一幾何對稱中心；

一第二介電層，披覆所述第一導通孔金屬層，且于所述第一導通孔金屬層的所述第一上端部及所述第一斜孔壁上方具有一第二開口；以及

一第二導通孔金屬層，形成于所述第二開口及所述第二介電層上，具有一第二底部、位于所述第二介電層上的一第二上端部以及一第二斜孔壁，所述第二斜孔壁具有與所述第二上端部接合的一第二頂端及與所述第二底部接合的一第二底端，其中所述第二頂端最接近所述幾何對稱中心的一點所具有的相對所述金屬層的一垂直線是落于所述第一斜孔壁上的。

2.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二導通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時形成所述第二底部、所述第二上端部以及所述第二斜孔壁。

3.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二開口是采用光刻工藝形成。

4.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二開口是采用光學激光鉆孔工藝形成。

5.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一導通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時形成所述第一底部、所述第一上端部以及所述第一斜孔壁。

6.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一開口采用光刻工藝形成。

7.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一開口是采用光學激光鉆孔工藝形成。

8.根據權利要求1所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述多層導通孔疊層結構應用于一柔性多層基板或一柔性半導體電路。

9.一種多層導通孔疊層結構，其特征在于，包括：

一金屬層；

一第一介電層，披覆所述金屬層，且于所述金屬層上方具有一第一開口；

一第一導通孔金屬層，形成于所述第一開口及所述第一介電層上，具有一第一底部、位于所述第一介電層上的一第一上端部以及一第一斜孔壁，所述第一斜孔壁具有與所述第一上端部接合的一第一頂端及與所述第一底部接合的一第一底端，且所述第一底部具有一幾何對稱中心；

一第二介電層，披覆所述第一導通孔金屬層，且于所述第一導通孔金屬層的所述第一上端部及所述第一斜孔壁上方具有一第二開口；以及

一第二導通孔金屬層，形成于所述第二開口及所述第二介電層上，具有一第二底部、位于所述第二介電層上的一第二上端部以及一第二斜孔壁，所述第二斜孔壁具有與所述第二上端部接合的一第二頂端及與所述第二底部接合的一第二底端，其中所述第二底端最接近所述幾何對稱中心的一點所具有的相對所述金屬層的一垂直線是落于所述第一斜孔壁上的。

10.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二導通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時形成所述第二底部、所述第二上端部以及所述第二斜孔壁。

11.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二開口是采用光刻工藝形成。

12.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第二開口是采用光學激光鉆孔工藝形成。

13.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一導通孔金屬層采用金屬剝離工藝形成，并同時形成所述第一底部、所述第一上端部以及所述第一斜孔壁。

14.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一開口采用光刻工藝形成。

15.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述第一開口?是采用光學激光鉆孔工藝形成。

16.根據權利要求9所述的多層導通孔疊層結構，其特征在于，所述多層導通孔疊層結構應用于一柔性多層基板或一柔性半導體電路。