[發(fā)明專利]一種MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201010289075.8 | 申請日： | 2010-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN101924472A | 公開（公告）日： | 2010-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊振文;吳月濤 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市華意隆實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司 |
| 主分類號： | H02M3/335 | 分類號： | H02M3/335;H02M7/5387;H02M7/219;H02H7/10;H02H5/04 |
| 代理公司： | 深圳市港灣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44258 | 代理人： | 馮達(dá)猷 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 mos igbt 混合 橋路逆變式 焊割 電源 | ||
1.一種MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，包括：按電流流向而順序連接的：輸入EMC電路、一次側(cè)整流濾波電路、混合器件逆變電路、隔離變壓器、二次側(cè)整流濾波電路以及主控制板電路；所述電流在主控制板電路處進(jìn)入混合器件逆變電路；所述混合器件逆變電路由四只MOS管和四只IGBT管橋接而成，并將四只MOS管和四只IGBT管分別分為兩組MOS管和兩組IGBT管；所述主控制板電路向所述混合器件逆變電路的MOS管和IGBT管分別有序的輸出四組八路PWM信號，讓同一組的MOS管和/或IGBT管同時導(dǎo)通，而讓另一組的MOS管和/或IGBT管在與前一組MOS管和/或IGBT管之間的具有相位差時導(dǎo)通。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，所述主控制板電路由PWM脈寬調(diào)制電路，脈沖延時關(guān)斷電路，隔離驅(qū)動電路，電流給定和電流反饋電路，過流保護(hù)電路，欠壓保護(hù)電路，以及輔助電路構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，所述隔離驅(qū)動電路包括：MOS管隔離驅(qū)動電路和IGBT管隔離驅(qū)動電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，所述MOS管隔離驅(qū)動電路包括：MOS管隔離電路和MOS管驅(qū)動脈沖脈沖上升沿下降沿整形處理電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，所述IGBT管隔離驅(qū)動電路包括：IGBT管隔離電路和IGBT管驅(qū)動脈沖脈沖上升沿下降沿整形處理電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的MOS管和IGBT管混合橋路逆變式焊割電源，其特征在于，所述相位差為180o。
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